Ed
há 11 meses
Para entender a dopagem do silício e a produção de semicondutores Tipo P e Tipo N, precisamos saber quais elementos são utilizados: - Semicondutor Tipo N: Para criar um semicondutor Tipo N, adicionamos elementos que têm mais elétrons do que o silício, como o fósforo (P) ou o arsênio (As). Esses elementos têm cinco elétrons na camada de valência, permitindo que o silício tenha elétrons extras. - Semicondutor Tipo P: Para criar um semicondutor Tipo P, adicionamos elementos que têm menos elétrons do que o silício, como o boro (B). O boro tem três elétrons na camada de valência, criando "lacunas" onde faltam elétrons. Agora, analisando as alternativas: a) P e Ar - O argônio (Ar) não é um dopante, então essa opção está incorreta. b) B e Ga - O boro (B) é para Tipo P, mas o gálio (Ga) não é o dopante típico para Tipo N. c) B e Ge - O germânio (Ge) não é usado para dopagem, então essa opção está incorreta. d) Ga e P - O fósforo (P) é para Tipo N, mas o gálio (Ga) não é o dopante típico para Tipo P. e) Ge e Ar - Novamente, o germânio e o argônio não são dopantes adequados. A única combinação correta para produzir semicondutores Tipo P e Tipo N é adicionar boro (B) para Tipo P e fósforo (P) para Tipo N. Portanto, a alternativa correta é: b) B e Ga.
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