I- Os transistores bipolares de junção são semelhantes aos diodos de junção, embora eles contenham uma junção adicional, o transistor é dito bipolar pois possui tanto lacunas (+) quanto elétrons (-) constituindo o fluxo de corrente através do dispositivo. II- Os TBJs - do inglês 'tripolar junction transistor' são conhecidos no Brasil como transistores tripolares de junção pois têm três pernas. III- Na construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo n, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo p. IV- A adequada polarização do transistor é extremamente importante e necessária, de modo que a troca de um transistor npn por um pnp não é possível em circuitos eletrônicos, pois cada um dos tipos possui uma polarização característica. A As sentenças I e II estão corretas. B Somente a sentença II está correta. C As sentenças I e III estão corretas. D As sentenças II e III estão corretas.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
( ) Na construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo n, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo p. ( ) Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão do dreno (D - drain) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos a fonte (S - source). ( ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G - gate). ( ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (D - drain). A V - V - V - F. B F - V - F - V. C V - F - V - F. D F - V - V - F.
Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A A análise CC do TBJ nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CA, onde o sinal evolui entre valores positivos e negativos, o circuito CA será o mesmo. B A análise CA do TBJ nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto A B
São muitas as aplicações onde os transistores são usados, mas basicamente podemos citar que eles podem trabalhar como amplificadores, osciladores, retificadores, comutadores e interruptores. As utilizações mais comuns dos transistores são: transistor operando como amplificador - nesse tipo de operação, o transistor é capaz de amplificar um sinal elétrico de baixa amplitude; é muito utilizado em sistemas de telecomunicações e sistemas de som onde os sinais necessitam ser amplificados para utilização em algum outro equipamento; transistor operando como chave - nesse tipo de operação, o transistor consegue ligar e desligar cargas de maior potência apenas recebendo um sinal de baixa amplitude; como exemplo, podemos citar os transistores utilizados em inversores de frequência, que conseguem fazer o chaveamento (ligar e desligar rapidamente) e fazer o acionamento de um motor utilizando PWM (modulação por largura de pulso). Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
Há vários tipos de transistores FET, por exemplo: o transistor de efeito de campo de junção: JFET; o transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor: MOSFET e o transistor de efeito de campo metal-semicondutor: MESFET. O JFET é um dispositivo de três terminais, de modo que um deles controla a corrente entre os outros dois. O MOSFET é um dispositivo de oito terminais, de modo que um deles controla a corrente e os demais controlam a tensão. O MESFET é um dispositivo de cinco terminais, de modo que três deles controlam a corrente e os outros dois controlam a tensão. A V - F - V - F. B F - V - F - V. C V - V - F - F. D F - V - V - F.
Com relação ao experimento exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter aceso. Sendo que a corrente apresentada no multímetro permanecerá a mesma. B Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado. Mas a corrente apresentada no multímetro irá aumentar. C Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter aceso. Mas a corrente apresentada no multímetro irá aumentar. D Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, a corrente apresentada no multímetro será de 69,43 mA.
Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Em 27 de janeiro de 1948, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor. B Em 23 de dezembro de 1947, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor. C Em 25 de novembro de 1947, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor. D Em 23 de dezembro de 1948, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor.
I- Os transistores bipolares de junção são semelhantes aos diodos de junção, embora eles contenham uma junção adicional, o transistor é dito bipolar pois possui tanto lacunas (+) quanto elétrons (-) constituindo o fluxo de corrente através do dispositivo. II- Os TBJs - do inglês 'tripolar junction transistor' são conhecidos no Brasil como transistores tripolares de junção pois têm três pernas. III- Na construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo n, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo p. IV- A adequada polarização do transistor é extremamente importante e necessária, de modo que a troca de um transistor npn por um pnp não é possível em circuitos eletrônicos, pois cada um dos tipos possui uma polarização característica. A As sentenças I e II estão corretas. B Somente a sentença II está correta. C As sentenças I e III estão corretas. D As sentenças II e III estão corretas.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
( ) Na construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo n, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo p. ( ) Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão do dreno (D - drain) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos a fonte (S - source). ( ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G - gate). ( ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (D - drain). A V - V - V - F. B F - V - F - V. C V - F - V - F. D F - V - V - F.
Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A A análise CC do TBJ nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CA, onde o sinal evolui entre valores positivos e negativos, o circuito CA será o mesmo. B A análise CA do TBJ nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto A B
São muitas as aplicações onde os transistores são usados, mas basicamente podemos citar que eles podem trabalhar como amplificadores, osciladores, retificadores, comutadores e interruptores. As utilizações mais comuns dos transistores são: transistor operando como amplificador - nesse tipo de operação, o transistor é capaz de amplificar um sinal elétrico de baixa amplitude; é muito utilizado em sistemas de telecomunicações e sistemas de som onde os sinais necessitam ser amplificados para utilização em algum outro equipamento; transistor operando como chave - nesse tipo de operação, o transistor consegue ligar e desligar cargas de maior potência apenas recebendo um sinal de baixa amplitude; como exemplo, podemos citar os transistores utilizados em inversores de frequência, que conseguem fazer o chaveamento (ligar e desligar rapidamente) e fazer o acionamento de um motor utilizando PWM (modulação por largura de pulso). Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
Há vários tipos de transistores FET, por exemplo: o transistor de efeito de campo de junção: JFET; o transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor: MOSFET e o transistor de efeito de campo metal-semicondutor: MESFET. O JFET é um dispositivo de três terminais, de modo que um deles controla a corrente entre os outros dois. O MOSFET é um dispositivo de oito terminais, de modo que um deles controla a corrente e os demais controlam a tensão. O MESFET é um dispositivo de cinco terminais, de modo que três deles controlam a corrente e os outros dois controlam a tensão. A V - F - V - F. B F - V - F - V. C V - V - F - F. D F - V - V - F.
Com relação ao experimento exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter aceso. Sendo que a corrente apresentada no multímetro permanecerá a mesma. B Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado. Mas a corrente apresentada no multímetro irá aumentar. C Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter aceso. Mas a corrente apresentada no multímetro irá aumentar. D Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, a corrente apresentada no multímetro será de 69,43 mA.
Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Em 27 de janeiro de 1948, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor. B Em 23 de dezembro de 1947, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor. C Em 25 de novembro de 1947, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor. D Em 23 de dezembro de 1948, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor.