Vamos analisar cada proposição sobre o IGBT: I- O IGBT possui baixa queda de tensão no estado ligado como o BJT. Verdadeiro, o IGBT tem uma queda de tensão no estado ligado que é relativamente baixa, similar ao BJT. II- O IGBT apresenta excelente resposta a altas frequências e alta impedância de entrada assim como o MOSFET. Falso, embora o IGBT tenha uma impedância de entrada alta, sua resposta a altas frequências não é tão boa quanto a do MOSFET, pois o IGBT é mais lento em comparação. III- Para o seu funcionamento deve-se colocar uma tensão de gate Vg maior que a tensão limiar. Verdadeiro, o IGBT precisa de uma tensão de gate que ultrapasse a tensão limiar para conduzir. IV- O IGBT funciona graças ao efeito indutivo no terminal da emissor que permite o atraso da corrente. Falso, essa afirmação não é correta, pois o funcionamento do IGBT não se baseia em um efeito indutivo, mas sim em um controle de portadores de carga. Com base nas análises, as proposições verdadeiras são I e III. Portanto, a alternativa correta que contém todos os itens verdadeiros é: I e III.