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Step 1 of 1 3.002P Write the formula for intrinsic carrier density of gallium arsenide at the temperature, T 3 = Here, B is a material dependent parameter that is B The bandgap energy E₈ And k is Boltzmann's constant, that is k The temperature is Substitute for B for E₈ 8.62x10⁻⁵ eV/K for 300K for T to calculate the carrier concentration, = -1.42 = = = Simplify further. = 2204686.286 Therefore, the carrier concentration nᵢ at T = 300 K is,
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