RADIOTÉCNICO E TV (PB) E A CORES 06

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RADIOTÉCNICO E TV(P&B) EA CORES 06INSTITUTO PADRE REUS 01 Tipos de Transistores TRANSISTORES DE JUNÇÃO Os transistores de junção podem ser classificados de diversas maneiras. Uma destas maneiras é levar em consideração a máxima dissipação de potência permissível para a junção base-emissor. Assim, encontraremos transistores de baixa, média e alta potência. Devido ao enorme uso deste dispositivo semicondutor, o aprimoramento nas técnicas de fabricação tem proporcionado melhores características dos transistores: * tamanho menor e mais compacto; * menores correntes de fuga; * maior dissipação de potência e; *freqüência de trabalho mais elevada. TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Vejamos mais um importante dispositivo semicondutor. Transistor de efeito de campo, abreviado por FET (field effect transistor). Seu princípio de funcionamento é diferente dos transistores bipolares já estudados. Em algumas aplicações, o transistor de efeito de campo supera os transistores convencionais. Os transistores de efeito de campo podem ser de 2 tipos diferentes: Transistor de efeito de campo Transistor de efeito de campo de de junção, simplesmente chamado de FET de Junção. porta isolada, mais conhecido por transistor de efeito de campo com MOSFET. FET DE JUNÇÃO (Transistor de efeito de campo de junção) É feito a partir de materiais semicondutores tipo P e tipo N, e também é capaz de amplificar um sinal eletrônico. Para entender seu funcionamento, é necessário saber como é construído. Sua construção é feita a partir de um material semicondutor, normalmente de silício, ligeiramente dopado, isto é, um cristal de silício02 INSTITUTO PADRE REUS extremamente puro, em que se adicionou algumas impurezas. Este material é chamado de substrato, e vem a ser a base onde será formado o transistor. substrato pode ser do tipo P ou do tipo N. Dentro do substrato, é formada uma região cuja dopagem é diferente, no caso, se o substrato é do tipo P, a região formada dentro do substrato será do tipo N, e terá a forma da letra U. O substrato com a região formada no seu interior, forma, desta maneira, uma região PN. O material encravado dentro do substrato forma um canal, de material semicondutor, e é chamado simplesmente de canal. Se o material do canal é do tipo N, e o substrato do tipo P, o FET é conhecido por FET de junção de canal N. Se o canal for do tipo P, e o substrato do tipo N, o FET será conhecido por FET de junção de canal P. Supridouro Dreno Substrato Porta Canal Figura 1 Os três terminais do FET são: porta, terminal ligado ao supridouro e dreno, ligados um em cada extremo do canal. Como o canal é geometricamente simétrico, normalmente não faz diferença qual extremo do canal é utilizado como supridouro ou dreno, a não ser em alguns FETs especiais, em que o canal não é simétrico. Nestes, o supridouro e o dreno devem ser rigorosamente observados, de acordo com as informações do fabricante. Da mesma forma que no transistor convencional, um FET pode ser polarizado com duas fontes de tensão externas, uma colocada entre dreno e supridouro, gerando um fluxo de corrente pelo canal do dispositivo, e uma segunda fonte, colocada entre a porta e supridouro, para controlar a corrente que passa pelo canal.INSTITUTO PADRE REUS 03 A figura 2 mostra uma seção transversal de um FET de junção canal N e suas tensões de polarização. SÍMBOLO + Id + d d S Id P g + N S P + g (Porta) Região de FET de junção canal N Figura 2 depleção A tensão entre dreno e supridouro é chamado de ; a tensão entre a porta e supridouro é chamada de Observe que o supridouro se torna negativo com relação ao dreno. A tensão aplicada entre o dreno e o supridouro gera uma corrente no canal do tipo N. Esta corrente é chamada de corrente de dreno, representada simplesmente por O canal se comporta como uma resistência para a fonte de tensão A tensão aplicada entre a porta e supridouro faz a porta de material tipo P ficar negativa em relação ao supridouro feito de material tipo N. Em função disso, a junção PN formada pela porta e pelo canal fica polarizada reversamente, formando uma região de depleção nas proximidades desta junção. Esta região de depleção expande-se internamente ao longo do canal, ao redor da parede do canal N, pois todos os lados do canal N estão em contato com o substrato do tipo P, que atua como porta. tamanho da região de depleção é controlado pela tensão de tal maneira que, quando Vgs cresce, a região de depleção aumenta, e uma corrente menor circula pelo canal. Quando diminui, diminui a região de depleção, e a corrente pelo canal aumenta. Desta forma, pode-se controlar o fluxo de corrente entre dreno e supridouro através da tensão aplicada entre porta e supridouro Um aumento de Vgs diminui a corrente entre dreno e supridouro A diminuição de provoca o aumento deINSTITUTO PADRE REUS 04 Podemos considerar que o transistor de efeito de campo de junção se comporta como um resistor variável, controlado pela tensão aplicada, entre a porta e o supridouro. É importante observar que a corrente que vai circular entre porta e supridouro será insignificante, devido somente aos portadores minoritários, uma vez que a junção estará polarizada inversamente. Devido a isso, os FETs apresentam uma grande impedância de entrada, enquanto os transistores convencionais apresentam uma impedância bem baixa. Se, junto com a tensão fixa de polarização entre porta e supridouro, for aplicado um sinal variável, este sinal será amplificado. A capacidade de amplificação de um FET é medida observando-se o efeito que a tensão de entrada, aplicada entre a porta e supridouro, tem sobre a corrente de dreno. Na figura 3, repetimos o símbolo do FET de junção de canal N, e apresentamos o símbolo do FET de junção de canal P, à direita. No FET de junção de canal P, o dreno é polarizado com uma tensão negativa em relação ao supridouro, e a porta está polarizada positivamente com relação ao supridouro. No símbolo, só muda a direção da flecha, no FET de junção de canal P, a direção da seta é para fora. d d Id Id g g + V V S gs S gs + Canal N Canal P Figura 3 FET DE PORTA ISOLADA ou MOSFET Este tipo de FET não tem uma junção PN convencional. Utiliza uma porta de metal, isolada do canal semicondutor por uma fina camada de óxido. Daí o nome de FET de porta isolada, ou FET de metal óxido semicondutor (MOSFET). Na figura número 4, vemos uma seção de um Mosfet que possui umINSTITUTO PADRE REUS 05 canal do tipo N. Deve-se notar que a porta de metal é isolada do canal semicondutor por uma camada de dióxido de silício, e realmente não constitui uma junção PN convencional, mas mesmo assim esta porta metálica pode ser usada para controlar a corrente no canal, permitindo ao MOSFET funcionar de maneira idêntica ao FET de junção. Porta Dreno (d) Supridouro Metal Dreno N P Porta (g) Substrato (ss ou b) Camada de isolante de dióxido de silício Supridouro (s) Figura 4 Os terminais de supridouro e dreno são polarizados do mesmo modo que um FET de junção, ou seja, o dreno é polarizado positivamente com relação ao supridouro, e a corrente de dreno, que flui entre dreno e supridouro, é controlada pela tensão de polarização entre porta e supridouro. Existe, porém, uma diferença muito significativa entre o FET de junção e o MOSFET: enquanto o primeiro só pode controlar a corrente de dreno através de uma tensão negativa, no caso do FET de junção canal N, o MOSFET pode controlar a corrente de dreno aplicando-se na sua porta uma tensão positiva ou negativa. Quanto mais positiva a tensão entre a porta e o supridouro, maior será a corrente de dreno. Isto ocorre porque a camada isolante de dióxido de silício evita que flua uma corrente através do terminal de porta, que é exatamente que ocorre no FET de junção, quando a junção PN fica polarizada diretamente. Na figura 5, vemos símbolo do MOSFET, canal N, e canal P. terminal de porta é isolado dos terminais de supridouro e dreno, enquanto o substrato, freqüentemente chamado de SS ou b, é indicado por uma seta, que quando aponta para dentro indica um MOSFET canal N; para fora, MOSFET canal P.INSTITUTO PADRE REUS 06 Dreno (d) Dreno (d) Baixa ou 4 Substrato (ss ou b) Substrato Porta (g) Porta (g) (ss ou b) 4 Mosfet canal N Resis. Mosfet canal P ou Supridouro (s) Figura 5 Supridouro (s) Alguns MOSFETs são construídos de modo que o substrato seja internamente conectado ao supridouro, dispensando o uso de um terminal separado especialmente para o substrato. Na figura 6, apresentamos o símbolo de um MOSFET canal N, cujo substrato está ligado, internamente, direto ao supridouro. Observe que o dreno deve sempre ficar positivo com relação ao supridouro, enquanto a tensão de porta-supridouro pode assumir valores positivos ou negativos. d Dreno Id Porta 1 b Porta S Porta 2 Supridouro Figura 6 Figura 7 Os MOSFETs também podem apresentar duas portas, cada porta podendo ser utilizada separadamente para controlar a corrente de dreno A grande aplicação destes dispositivos é nos circuitos misturados, em circuitos de amplificação com ganho controlado, em rádio e TV, etc. Na figura 7, vemos o símbolo de um MOSFET de porta dupla. Cada porta tem o mesmo poder de controle sobre a corrente de dreno. Os MOSFETs, de uma maneira geral, são muito sensíveis a cargas eletromagnéticas, e por isso podem apresentar, dentro do seu encapsulamento, diodos zener de proteção. Os MOSFETs que não possuem dispositivos de proteção interno, são geralmente fornecidos com umaINSTITUTO PADRE REUS 07 ligação metálica curto-circuitando seus terminais, a fim de que a carga eletrostática, presente no nosso corpo, não venha a danificá-lo. Esta proteção, que pode constar apenas de um fio condutor enrolado nos terminais do transistor, só deve ser retirada depois que o mesmo foi soldado ao circuito. TESTE DE FETS Os testes possíveis de serem efetuados neste tipo de semicondutores são: de continuidade do canal; de condução da junção para transistores FET de canal N ou P. Esta prova serve, também, para determinar o estado geral do com- ponente. As características do componente não podem ser estabelecidas pela prova. COMO REALIZAR TESTE: a) Coloque 0 na escala mais baixa de resistência: ohms x 1 ou ohmsx 10. b) Zere instrumento. c) Identifique os terminais do transistor de efeito de campo e faça as seguintes medidas: resistência direta e inversa entre dreno (d) e fonte (s); baixo resistência direta e inversa entre a porta (g) dreno (d). dineta Baixo alta Para resistência direta entre dreno e fonte do mesmo valor, em torno de 200 ohms para o transmissor MPF 102 e com valores próximos para outros tipos, o canal apresenta continuidade. Resistência baixa, da ordem de 60 ohms ou menos na medida da resistência direta e infinita ou muito alta na resistência inversa para caso entre porta (g) e o dreno (d), o transmissor de efeito de campo está com sua junção gate/dreno/substrato em ordem. Os valores indicados são para transistor de efeito de campo do tipo MPF 102. Medidas de valores diferentes indicam um transistor em má condições, como por exemplo:08 INSTITUTO PADRE REUS resistência alta nas medidas de resistência entre dreno e fonte ou mesmo infinita indicam um transistor aberto; resistência muito baixa ou nula nas medidas de resistência entre a porta e dreno indicam um transistor em curto. Com este teste, também podemos determinar se o transistor é canal N ou P. Para determinar o canal temos: a) resistência baixa com a ponta vermelha na porta (g) e preta no dreno (d) transistor é canal N; b) resistência alta com a ponta vermelha na porta (g) e preta no dreno (d) 0 transistor é canal P. Este teste é válido para multímetros com a ponta de prova vermelha ligada ao pólo positivo da sua bateria interna. TRANSISTOR UNIJUNÇÃO Apesar de também pertencer à família dos tiristores, suas características elétricas são bem diferentes. É um tipo especial de transistor, usado como chave eletrônica, que não pode ser usado como amplificador. É muito conhecido simplesmente por UJT. Base 2 P (b₂) transistor unijunção, ou UJT é formado basicamente por uma barra de N material semicondutor do tipo N, com um Emissor (e) pequeno grão de material do tipo P na sua estrutura. Figura 8 Base 1 Em cada extremidade da barra de (b₁) Figura 8 material semicondutor é colocado um terminal, sendo tais terminais chamados de base 1 e base 2. terminal ligado ao material tipo P é chamado de emissor. Os três terminais são normalmente referidos como b₁, b₂ A barra de material semicondutor, entre b, e b₂, é levemente dopada, e possui, portanto, portadores majoritários capazes de permitirem um fluxo de corrente. A resistência deste canal, medida ente e situa-se ente 4.000 ohms e 12.000 ohms, aproximadamente.INSTITUTO PADRE REUS 09 circuito Equivalente b₂ ponto de encontro do material tipo P Rb₂ com a barra de material tipo N forma uma junção PN que apresenta as mesmas características de um e diodo comum. Para facilidade na compreensão do funcionamento do UJT, podemos representá-lo com um circuito equivalente, consistindo de dois resistores Rb, e e um diodo conectados de Figura 9 acordo com a figura 9. SÍMBOLO Símbolo do UJT emissor mostra uma seta que e aponta para dentro, indicando ser o emissor de material tipo P. Figura 10 Para simplificar a explicação do funcionamento do UJT, vamos utilizar circuito equivalente, com os dois resistores e 0 diodo. Uma bateria, ligada entre as duas bases, faz com que b₂ fique positivo com relação a Devido à resistência do canal N, entre as duas bases, vai circular uma pequena corrente entre os resistores e , independente da tensão aplicada no emissor, que pode ser até zero. Enquanto a tensão aplicada no emissor, pela fonte Vₛ, for insuficiente para polarizar o diodo diretamente, essa pequena corrente flui entre as bases normalmente, e pode ser calculada pela lei de ohm (E = RI), dividindo a tensão entre as bases pela resistência apresentada b₂ pela mesma. Figura 11 Mas, à medida em que se Rb₂ + R e aumenta a tensão no emissor, chegando-se na tensão necessária para tirar o diodo do corte, as b₁ características do UJT vão se Figura 1110 INSTITUTO PADRE REUS modificar bastante. Ao atingir a tensão de disparo do diodo, o mesmo conduz, e o efeito interno no dispositivo faz com que a resistência interna entre o emissor e venha a cair significativamente; é esta a característica mais importante do funcionamento do UJT, e pode ser muito útil na geração de sinais cíclicos, como o oscilador de relaxação, da figura 12. S R1 R2 + b₂ e b₁ + C de R3 Figura 12 Limita de Seu funcionamento é o seguinte: fechando-se o circuito, a carga do capacitor C é feita através de R₁, que é um potenciômetro; a tensão no capacitor começa a subir, até que seja suficiente para fazer conduzir a junção no emissor, o que provoca a diminuição da resistência entre emissor e provocando a descarga do capacitor pelo dispositivo. Em outras palavras, o capacitor se carrega lentamente por , e descarrega rapidamente pelo UJT entre emissor e base. A descarga ocorre, deixando o UJT desativado, isto é, restabelecendo a alta resistência entre emissor e b₁, o que permite ao capacitor se carregar novamente, continuando o processo indefinidamente. Sobre que limita a corrente de descarga, surge uma forma de onda muito estreita (figura 13), a cada descarga do UJT. No capacitor, vamos ter uma forma de onda conhecida como "dente-de-serra", que mostra as variações de tensão sobre ele. (t) (t) Forma de onda no capacitor Figura 13 Forma de onda no resistorINSTITUTO PADRE REUS 11 É interessante notar que a tensão nunca cai completamente a zero, devido à pequena corrente que circula entre as duas bases, mesmo que o dispositivo esteja no seu estado de não condução. A freqüência da onda gerada pode ser variada alterando-se o valor de ou do capacitor. Quanto maior resistor, mais tempo demora o capacitor para se carregar, e uma freqüência baixa é obtida. Diminuindo o valor, o capacitor se carrega mais rapidamente, e um maior número de pulsos por segundo será obtido. Alterando o valor do capacitor, altera-se também a freqüência, pois um capacitor maior demora mais para atingir a tensão necessária para o disparo do UJT. Uma das aplicações dos pulsos do UJT é para disparo dos SCRs, entre outras. NÚMERO DE TERMINAIS número de terminais de um transistor, basicamente é três como já foi visto anteriormente. Entretanto, temos alguns transistores que trabalham com intensidade de corrente e tensões elevadas, que possuem uma quantidade de calor, desenvolvidas nas suas junções, mais elevada, apresentando uma variação no número de terminais. Estes transistores são empregados nas saídas de amplificadores de potência, ou osciladores de deflexão horizontal cuja potência é superior a 1 watt. Devido a alta dissipação de calor, esses transistores são fabricados com um formato apropriado, possuindo uma superfície relativamente grande para serem instalados em dissipadores de calor. Do mesmo modo que houve a necessidade de um cuidado especial para os transistores de potência, também para certos transistores de radio- freqüência, teve a necessidade de ser dado uma atenção maior. Nesses, foi colocado um terminal a mais, o qual está ligado internamente ao seu invólucro metálico, funcionando como uma espécie de blindagem contra campos magnéticos, devendo ser ligado à massa do circuito. Observe no entanto, que nos transistores de potência, de um modo geral, têm o coletor ligado eletricamente ao invólucro metálico. Isto facilita a transmissão de calor para o meio ambiente, uma vez que é no coletor queINSTITUTO PADRE REUS 12 se desenvolve a maior quantidade de calor. Nesse caso, quando existe esta ligação entre o coletor e o invólucro metálico, esse não está ligado a massa do circuito, estando separado do chassis por isoladores e uma película de mica. Existem transistores de potência com dois terminais. Nestes, o coletor está internamente ligado, sendo o próprio invólucro metálico. Invólucro dos Transistores Devido à corrente que flui através do transistor e a tensão a ele aplicada, parte da potência desenvolvida é transformada em calor na parte interna do próprio transistor. Este calor deverá ser transferido para o meio ambiente da maneira mais rápida possível, pois, do contrário, o componente se danificará. Todo o elemento de estado sólido terá seu calor dissipado ao meio ambiente se estiver ligado a uma superfície de contato. Com base nisto, podemos classificar os transistores em 2 grupos: TRANSISTORES DE BAIXO SINAL: operam com corrente e tensões reduzidas, sendo a potência desenvolvida durante seu funcionamento, muito baixa. São encontrados em pré-amplificadores de AF, osciladores, conversores, amplificadores de FI, etc. Devido à baixa quantidade de calor produzido durante seu funcionamento, esses transistores são de tamanho pequeno e não necessitam de dissipadores de calor. SOT-54 SOT-30 SOT-18 TO-1 (TO-92) Figura 14 TRANSISTORES DE POTÊNCIA: operam com corrente e tensões elevadas produzindo uma elevada quantidade de calor entre suas junções.INSTITUTO PADRE REUS 13 São empregados em circuitos de potência como: saída de amplificadores de AF, osciladores de deflexão horizontal de TV, etc... Devido ao calor produzido são fabricados em tamanho maior que os transistores comuns e em formato próprio para sua instalação em dissipadores de calor. A SOT-32/2 TO-39 SOT-9 TO-3 (TO-126) Figura 15 A seguir apresentamos alguns tipos de invólucros: SOT 37 SOT - 103 7,2 7,2 min min 2,1 max 2,1 max 4,9 1,0 0,5 min 2,1 max 4,8 e b 14,4 6,6 14,4 4,8 max min 6,6 14,4 min min g (4) b e 0,24 0,24 1,0 1,05 max 1,05 max max 1,0 max 0,75 0,75 0,75 max 2,7 1,05 max 2,7 max (2) (4) TO 39 "C" SOT 9 "D" 8,9 max 2,7 6,0 45° e 0,48 max 4,2 b max max 23 31,4 max ( 13,1 5,1 9,4 max 6,6 max 12,7 min 10,5 9,0 19,0 moxINSTITUTO PADRE REUS 14 TO 3 "D" 26,6 max 7 max 9,5 max 8,63 max 3,15 3,15 0,9 1,6 4,2 16,9 5 39,5 max 39,5 max 20,3 max 20,3 max e b 13 10,9 13 13 13 11 11 11 11 SOT 18 "B" SOT - 30 "C" (TO - 18) 0,47 max 4,8 max 0,48 5,3 max 12,7 min 5,2 max 12,7 min 45° b b e e b e e b b e max 2,54 1,77 2,54 C, 4,2 SOT-18/1 SOT-18/2 SOT-18/11 SOT-30 SOT-30* TO 1 "D" AC187 AC187/01 1,5 AC188 AC188/01 dent 1,5 max 0,48 max 5,9 max 72 max 3,4 mm 3,1 0,48 max 3,4 38,1 min 15,7 max 38,1 min e 6,48 max 1,8 1,8 b e b 7,2 maxINSTITUTO PADRE REUS 15 A "A" SOT-32/2 "B" (TO 126) 2,8 max 7,8 2,5 0,5 3,75 4,6 3,2 3,0 4,0 max 4,2 1,0 E 10,0 max 1,2 B 2,5 15,3 min 12,9 8,5 13,5 e 4,58 0,5 0,88 max 2,29 SOT-54 "A" " (TO-92) 4,2 1,6 5,2 max 12,7 min 0,48 0,35 max min 2,54 0,65 max mox e b b d o o o o b o e S o e g SOT-54/2 SOT-54/4 SOT-54/8 SOT-54/12 SOT - 82 SOT - 93 2,8 2,3 0,6 7,8 0,4 21 max 3,75 12,7 3,2 max 3,0 11,1 0,4 1,6 max 4,6 max 13,6 min 1,15 0,95 e 15,3 min 15,2 max 14 4,25 4,15 11 b e 4,58 0,88 max 2,29 b 5,5 0,5 1,216 INSTITUTO PADRE REUS Dissipadores de Calor Como já foi visto anteriormente, durante a operação de um transistor, produz-se calor nas junções, particularmente na região entre base e coletor, chamado de temperatura de junção (Tj). Para evitar que transistor danifique, a temperatura de junção não deve ultrapassar um determinado valor especificado pelo fabricante. Essa temperatura depende do material do semicondutor e do encapsulamento. A fim de que a temperatura de junção seja mantida num valor abaixo do limite máximo, esse calor gerado deve ser transferido rapidamente ao meio ambiente. A técnica empregada é a instalação dos transistores em peças metálicas especiais (de alumínio) conhecidas como dissipadores de calor. Um dissipador bastante empregado em transistores de baixo sinal, com potência relativa, é constituído por uma placa de alumínio colocada diretamente sobre o corpo do transistor. É denominado de aleta de resfriamento. Os transistores cujo encapsulamento é metálico do tipo TO-1, não possuem nenhum dos seus terminais ligados a sua carcaça, podendo assim, ser ligado, o dissipador, em qualquer parte metálica do equipamento. Exemplo: AC 187 e AC 188 Orifício para fixação da aleta AC 188 Aleta de resfriamento Pinta vermelha Emissor Coletor Base Figura 16 Para transistores de potência com temperatura de junção mais elevada, emprega-se dissipador de melhores características.INSTITUTO PADRE REUS 17 Invólucros do tipo SOT-9, SOT-32/2, onde o coletor é ligado à carcaça ou chapa metálica, devem receber cuidados quanto à isolação entre transistor e o dissipador de calor, pois este último é preso em alguma parte metálica do equipamento, que pode estar em contato com a massa (negativo) do aparelho. Em circuitos onde o coletor não é ligado à massa, deve-se isolá-lo adequadamente. Para isso, emprega-se lâmina de mica entre transistor e dissipador. A mica é usada, nestes casos, por apresentar alta condutibilidade térmica e reduzida condutibilidade elétrica. Uma maneira de evitar que os parafusos de fixação do transistor fiquem em contato com o dissipador é esta: usam-se duas arruelas cilíndricas de material isolante. Terminal para ligação do coletor ao circuito Dissipador Arruela metálica e de calor parafuso de fixação Arruela isolante Dissipador Porca Térmico Transistor de Arruela potência metálica (invólucro TO-3) Transistor de potência Isolador (invólucro plástico SOT-32/2) Parafuso de mica Figura 17 Durante a montagem, o isolador de mica deverá ter ambos os lados untados com uma graxa de silicone (substância pastosa de cor branca e boa condutora térmica). A ligação elétrica do coletor ao circuito é feita através de um terminal de ligação preso num dos parafusos de fixação do transistor ao dissipador.18 INSTITUTO PADRE REUS Identificação dos Terminais dos Transistores Se um transistor é ligado com os terminais invertidos em um circuito eletrônico, ele poderá ser danificado. Por isso, é de grande importância que seus terminais sejam identificados antes de sua instalação. Invólucro Nos transistores com invólucro Plástico de plástico moldado (SOT 54/2 e SOT Região 30), temos como referência, para Chanfrada identificação dos terminais, chanfro existente na parte lateral do invólucro. Observando a figura 18, teremos da direita para a esquerda: b Terminais emissor, base e coletor. e Figura 18 Outros modelos poderão apresentar como referência uma lingüeta metálica. A identificação de seus terminais, no sentido horário, a partir da lingüeta, será: emissor, base, coletor. Alguns transistores apresentam 4 terminais, sendo o Lingüeta Metálica B ligado internamente ao invólucro metálico, funcionando e como blindagem contra campos eletromagnéticos, e deve ser b ligado à massa do circuito. Invólucro Metálico Esse tipo de transistor é Terminais normalmente empregado em Figura 19 circuitos de RF. Exemplo: SOT 18/11 Os transistores que empregam o invólucro metálico TO-1 possuem como referência uma pinta colorida lateralmente. O terminal próximo a esta é o coletor; o do centro, a base; e o outro, o emissor. Se a pinta for azul, será um transistor NPN, se for vermelha será PNP.INSTITUTO PADRE REUS 19 Os transistores de potência possuem geralmente, 0 coletor ligado ao invólucro metálico, facilitando assim a transferência do calor para o meio ambiente, tendo em vista que neste terminal é desenvolvida a maior quantidade de calor. Base Furo para fixação SOT-9 Emissor Coletor (c) Linha Média (Linha Imaginária) Figura 3 Furo para Fixação Linha Média (Linha Imaginária) Emissor TO-3 Base Coletor (c) Figura 20 Invólucros do tipo SOT-9 e TO-3 apresentam apenas dois terminais, pois coletor será próprio invólucro metálico. No SOT-9, com os terminais do transistor voltado para o observador, traça-se uma linha central imaginária. Localiza-se então, acima desta linha imaginária, os 2 terminais, o da esquerda é a base e o da direita o emissor. No TO-3 procede-se da mesma maneira, sendo que neste caso os terminais ficam abaixo da linha central tendo a base à direita e o emissor à esquerda. Transistor com invólucro do tipo SOT-32/2 (plástico moldado) possui em uma das suas faces uma chapa metálica eletricamente ligada ao20 INSTITUTO PADRE REUS Chapa metálica (conectada coletor, cuja finalidade é a eletricamente ao coletor) dissipação do calor. A BD Furo para fixação do identificação dos terminais 137 transistor deste tipo de transistor é feita da esquerda para a Invólucro Plástico direita, em relação à face oposta a que se encontra b C e esta chapa, tendo assim: Figura 21 e emissor, coletor e base. Terminais b Alguns transistores com mesmo tipo de invólucro tem uma alça metálica (SOT-32/2 A), a qual tam- bém está ligada ao coletor. Esta al-ça Alça Metálica (Conectada eletrica- tem a mesma finalidade que a chapa mente ao coletor) do transistor anterior. Seu in-vólucro Região chanfrada apresenta um de seus vérti-ces Invólucro Plástico chanfrado, servindo como refe- rência para identificação de seus terminais. Olhando-o pela parte Figura 22 inferior com o chanfrado à direita, e b c teremos: base, coletor e emissor. Terminais Código Empregado Para Semicondutores Para uma designação mais fácil dos semicondutores, os fabricantes criaram códigos. CÓDIGO EUROPEU Este código é formado de duas ou três letras maiúsculas seguidas por um número composto de dois ou três algarismos. Para uma melhor diferenciação entre os semicondutores, quanto ao seu emprego, o código é dividido em dois grupos: 1° Grupo São os semicondutores empregados em aparelhos domésticos, como rádio, TV, etc... Esse grupo é representado por duas letras em três algarismos deINSTITUTO PADRE REUS 21 100 a 999. Exemplos: BY 127; BC 548; BD 330. A primeira letra desse grupo indica tipo de cristal semicondutor com que é feito o componente eletrônico: A = Germânio = Silício = Arsenato de Gálio D = Antimônio de Índio R = materiais para células foto condutoras A segunda letra indica o tipo de semicondutor e sua aplicação. CÓDIGO EUROPEU PARA SEGUNDA LETRA SIGNIFICADO A Diodos: detetores, de comutação e misturadores Diodos: de capacitância variável (VARICAP) C Transistores: para AF (audiofreqüência), baixo sinal D Transistores: para AF, de potência E Diodos: túnel F Transistores: para RF baixo sinal G Dispositivos Múltiplos: triplicador de tensão por exemplo L Transistores: para RF, de potência N Fotoacopladores: (dispositivos para acoplamento óptico) P Disp. Sensíveis a Radiações: fotodiodos, fototransistores Q Disp. Geradores de Radiações: LED, por exemplo R Tiristores: para comutação, de baixa potência S Transistores: para comutação, de baixa potência T Tiristores: de alta potência U Transistores: para comutação, de alta potência X Diodos: multiplicadores de freqüência Y Diodos: retificadores Z Diodos: de referência ou reguladores de tensão (Zener) 2° Grupo São os semicondutores empregados em equipamentos industriais, como computadores, controle de potência, etc... Esse grupo é representado por três22 INSTITUTO PADRE REUS silicio R= letras e dois algarismos de 10 a 99. setue Exemplos: BRY 56, BPX 95. A primeira letra desse grupo indica o tipo de cristal semicondutor, conforme a primeira letra do Grupo. A segunda letra indica o tipo de semicondutor e sua aplicação, conforme a segunda letra do Grupo. A terceira letra e os algarismos (10 a 99) representam a série de fabricação. Como exemplo da interpretação do código europeu, podemos citar o diodo BY127, onde: = semicondutor de silício Y=retificador 127 = série de fabricação Para alguns semicondutores especiais, de características diferentes, é acrescido um sufixo como no caso dos diodos Zener. Este é constituído por uma letra e um número, onde a letra indica a tolerância da tensão Zener e o número, a tensão Zener nominal. Em alguns casos, a vírgula decimal do valor é substituída pela letra V. Tolerância: D 10% E 20% sufixo é separado da parte principal do código por um Exemplo: BZX 79 C9V1 Onde: B = cristal semicondutor de silício Z = diodo Zener X79 = série de fabricação =tolerância = 5% 9V1 9,1 Volt CÓDIGO JAPONÊS Os semicondutores de origem japonesa podem ser identificados por um código composto por letras e números, assim distribuídos: Número, S, Letra, Número, Letra.INSTITUTO PADRE REUS 23 1° número pode ser representado pelos seguintes algarismos: = indica foto transistor 1 = indica diodo em geral 2 = indica transistor retificador controlado S = é uma designação genérica de semicondutor Letra: (A, B, C, D, F, G, H) Indica a aplicação do semicondutor nos circuitos eletrônicos, onde: A = PNP, alta freqüência = PNP, baixa freqüência = NPN, alta freqüência D = NPN, baixa freqüência F = PNPN, para comutação (gatilho "P") G = NPNP, para comutação (gatilho "N") H = transistor unijunção 2° Número: Formado por 2 algarismos a partir do número 11; indica a série. Letra: É 0 sufixo que representa uma alteração no tipo original (sem sufixo = letra), podendo substituí-lo. É importante salientar que este semicondutor aperfeiçoado não poderá ser substituído pelo original. Exemplo 1: 2SB 56 Exemplo 2: 2SB 56A Onde: 2 = transistor Onde: 2 = transistor S = semicondutor S = semicondutor = baixa freqüência = baixa freqüência 56 = série 56 = série A = aperfeiçoado do transistor 2SB56 No caso dos diodos a primeira letra não é representada. Exemplo: 1S34 Onde: 1 = diodo S = semicondutor 34 = sérieINSTITUTO PADRE REUS 24 Tabelas de Transistores Para que o aluno tenha condições de verificar as características de alguns transistores bastante comuns no nosso mercado, vamos apresentar tabelas de transistores fabricados pela Philips, e que serão muito úteis ao técnico reparador. uso da tabela é muito simples. Mas, em primeiro lugar, vamos explicar as características que constam na tabela, que interessam ao técnico reparador. Tipo: é nome do transistor. pol.: polarização; N quer dizer NPN. P significa PNP. é a máxima tensão que pode ser aplicada entre 0 coletor e 0 emissor de um transistor, com a base aberta. é a máxima corrente de coletor que pode circular pelo transistor. Na nossa tabela, está especificada em ampères. é a máxima potência que pode dissipar um transistor. Está especificada em Watts, para uma dada temperatura. (À medida que a temperatura sobe, diminui). hfe: equivale aproximadamente ao ganho do transistor. É especificado para uma dada corrente de coletor e é apresentado valor mínimo. Quer dizer que ganho de corrente do transistor está compreendido entre estes dois valores. ft : freqüência de transição. Está especificada em MHz. É um valor normalmente bem acima da máxima freqüência em que será utilizado 0 transistor. Encapsulamento: nos diz de que maneira fabricante encapsulou 0 transistor e nos fornece a identificação dos terminais do mesmo. Nos mostra aspecto externo do transistor. Um uso prático da tabela: vamos supor que você tenha um BC 547 e não sabe identificar a sua base, emissor e coletor. Consultando a tabela vemos que o BC 547 é o 70. Seu encapsulamento é SOT-54(2). Verifi- cando na página 15 deste polígrafo, entitulada invólucros, facilmente iden- tificamos os terminais do transistor (segurando o transistor com a mão, da maneira como estão desenhados, os terminais estão apontados para você.) Outra aplicação da tabela: se o BC 547 em questão estáINSTITUTO PADRE REUS 25 danificado e você não dispõe de outro em sua oficina, a solução é procurar se existe um outro que tenha as mesmas características e que possa ser usado. Consultando a tabela, verificamos que o BC 546 tem praticamente as mesmas características, inclusive permite que seja aplicada entre o seu coletor e emissor uma tensão superior ao do BC 547 = 65V). Pode ser usado sem problemas. Agora, supondo que você disponha na sua oficina apenas BC 548, ou seja, tensão máxima entre emissor-coletor é 30V. Isto não será inconveniente, se for utilizado num receptor de rádio cuja tensão da fonte será, por exemplo 6V. melhor método para você substituir um transistor é: consultar a tabela, verificar as características do transistor e procurar um outro que tenha as mesmas características similares. ÍNDICE TIPO LINHA TIPO LINHA TIPO LINHA TIPO LINHA BC107 49 BCY32A 87 BD333 125 BF2458 36 BC108 50 BCY33A 88 BD334 126 BF245C 37 BC109 51 BCY34A 89 BD335 127 BF254 171 BC177 52 BCY58 90 BD336 128 BF255 172 BC178 53 BCY59 91 BD433 129 BF324 173 BC179 54 BCY70 92 BD434 130 BF410A 38 BC237 55 BCY71 BD435 131 BF410B 39 BC238 56 BCY72 94 BD436 132 BF410C 40 BC239 57 BCY78 95 BD437 133 BF410D 41 BC307 58 BCY79 96 BD438 134 BF422 174 BC308 59 BD115 97 BDV64 135 BF423 175 BC309 60 BD135 98 BDV64A 136 BF457 176 BC327 61 BD136 99 BDV64B 137 BF458 177 BC328 62 BD137 100 BDV65 138 BF459 178 BC337 63 BD138 101 BDV65A 139 BF480 179 BC338 64 BD139 102 BDV65B 140 BF494 180 BC368 65 BD140 103 BDV91 141 BF495 181 BC369 66 BD232 104 BDV92 142 BF496 182 BC375 67 BD233 105 BDV93 143 BF936 183 BC376 68 BD234 106 BDV94 144 BFR84 47 BC546 69 BD235 107 BDV95 145 BFR90 190 BC547 70 BD236 108 BDV96 146 BFR981 48 BC548 71 BD237 109 BDY90 147 BFW10 42 BC549 72 BD238 110 BDY91 148 43 BC550 73 BD262 111 BDY92 149 BFW12 44 BC556 74 BD262A 112 BF115 159 BFW13 45 BC557 75 BD262B 113 BF167 160 BFW16A 187 BC558 76 BD263 114 BF173 161 BFW61 46 BC559 77 BD263A 115 BF180 162 BFX89 188 BC560 78 BD263B 116 163 BFY90 189 BC635 79 BD291 117 BF182 164 BRY39 33 BC636 80 BD292 118 BF183 165 BRY56 34 BC637 81 BD293 119 166 BSR50 BC638 82 BD294 120 BF185 167 BSR51 2 BC639 83 BD329 121 BF198 168 BSR60 3 BC640 84 BD330 122 BF199 169 BSR61 4 BCY30A 85 BD331 123 BF200 170 BSS38 5 BCY31A 86 BD332 124 BF245A 35 BSS52 6INSTITUTO PADRE REUS 26 TIPO LINHA SÍMBOLOS BSS68 7 = Tensão coletor emissor (base aberta) BSV64 8 = Tensão coletor emissor (com resistor de valor BSW66 9 especificado entre emissor e base) BSW67 10 BSW68 11 Corrente contínua de coletor BSX19 12 IB = Corrente contínua de base BSX20 13 ICM = Valor de pico da corrente de coletor BU205 150 = Potência dissipada total BU208A 151 Tamb = Temperatura ambiente BU426 152 = Temperatura da base de montagem BU433 153 Tenc = Temperatura do encapsulamento BUW84 154 hFE = ganho em corrente contínua BUX80 155 BUX82 156 VCEsat = Tensão de saturação coletor-emissor BUX86 157 toff = Tempo de desligamento 2N914 14 VGA = Tensão entre porta de anodo e anodo 2N918 184 VGK = Tensão entre porta do catodo e catodo 2N1613 185 IARM = Corrente de anodo repetitiva de pico 2N1711 186 = Taxa de incremento da corrente de anodo 2N2218 15 = Tensão anodo/catodo 2N2218A 16 IH = Corrente de retensão 2N2219 17 Tempo de subida 2N2219A 18 = Tensão dreno-fonte 2N2221 19 = Corrente de corte da porta (fonte em curto-circuito 2N2221A 20 com o dreno) 2N2222 21 = Corrente do dreno (fonte em curto-circuito com a porta) 2N2222A 22 V(P)GS = Tensão de corte porta-fonte 2N2483 23 = Admitância de transferência (fonte comum) 2N2484 24 = Capacitância de realimentação 2N2904 25 GUM = Máximo ganho unilateral de potência 2N2904A 26 2N2905 27 f = Freqüência 2N2905A 28 F = Fator de ruído 2N2906 29 fT = Freqüência de transição 2N2906A 30 = Potência de saída 2N2907 31 Gp = Ganho de potência 2N2907A 32 2N3055 158INSTITUTO PADRE REUS 27 Transistores Philips COMUTAÇÃO Tamb TIPO POL máx. (A) min-máx. máx. (V) a (mA) ENCAPSULAMENTO (W) a (V) a (mA/mA) (ns) a (A) 01 BSR50 N (45) (2) 0,8 25 >2000 500 1,3 500/0,5 2000 SOT-54(8) 01 02 BSR51 N (60) (2) 0,8 25 >2000 500 1,3 500/0,5 2000 1 SOT-54(8) 02 03 BSR60 P (45) (2) 0,8 25 >2000 500 1,3 500/0,5 1500 0,5 SOT-54(8) 03 04 BSR61 P (60) (2) 0,8 25 >2000 500 1,3 500/0,5 1500 0,5 SOT-54(8) 04 05 BSS38 N 100 0,1 0,5 25 >20 4 0,7 4/0,4 1000 0,015 SOT-54(2) 05 06 BSS52 N (80) 0,8 25 >2000 500 1,6 1000/4 2000 0,5 SOT-39 06 07 BSS68 P 100 0,1 0,5 25 >30 25 0,25 SOT-54(2) 07 08 BSV64 N 60 2 5 (50) >40 2000 1 5000/500 1200 5 SOT-39 08 09 BSW66 N 100 1 5 (25) >30 500 0,4 500/50 0,5 SOT-39 09 10 BSW67 N 120 1 5 (25) >30 500 0,4 500/50 0,5 SOT-39 10 11 BSW68 N 150 1 5 (25) >30 500 0,5 500/50 tip1000 0,5 SOT-39 11 12 BSX19 N 15 (0,5) 0,36 25 20-60 10 0,3 10/0,6 18 0,1 SOT-18(1) 12 13 BSX20 N 15 (0,5) 0,36 25 40-120 10 0,3 10/0,3 21 0,1 SOT-18(1) 13 14 2N914 N 15 0,15 0,36 25 30-120 10 0,7 200/20 40 SOT-18(1) 14 15 2N2218 N 30 0,8 0,8 25 40-120 150 0,4 150/15 SOT-39 15 16 2N2218A N 40 0,8 0,8 25 40-120 150 150/15 285 0,15 SOT-39 16 17 2N2219 N 30 0,8 0,8 25 100-300 150 0,4 150/15 SOT-39 17 18 2N2219A N 40 0,8 0,8 25 100-300 150 0,3 150/15 285 0,15 SOT-39 18 19 2N2221 N 30 0,8 0,5 25 40-120 150 0,4 150/15 SOT-18(1) 19 20 2N2221A N 40 0,8 0,5 25 40-120 150 0,3 150/15 285 0,15 SOT-18(1) 20 21 2N2222 N 30 0,8 0,5 25 100-300 150 0,4 150/15 SOT-18(1) 21 22 2N2222A N 40 0,8 0,5 25 100-300 150 0,3 285 0,15 SOT-18(1) 22 23 2N2483 N 60 (0,05) 0,36 25 40-120 0,01 0,35 1/0,1 SOT-18(1) 23 24 2N2484 N 60 (0,05) 0,36 25 100-500 0,01 0,35 1/0,1 SOT-18(1) 24 25 2N2904 P 40 0,6 0,6 25 40-120 150 0,4 150/15 100 0,15 SOT-39 25 26 2N2904A P 60 0,6 0,6 25 40-120 150 0,4 150/15 100 0,15 SOT-39 26 27 2N2905 P 40 0,6 0,6 25 100-300 150 0,4 150/15 100 0,15 SOT-39 27 28 2N2905A P 60 0,6 0,6 25 100-300 150 0,4 150/15 100 0,15 SOT-39 28 29 2N2906 P 40 0,6 0,4 25 40-120 150 0,4 150/15 100 0,15 SOT-18(1) 29 30 2N2906A P 60 0,6 0,4 25 40-120 150 0,4 150/15 100 0,15 SOT-18(1) 30 31 2N2907 P 40 0,6 0,4 25 100-300 150 0,4 150/15 100 0,15 SOT-18(1) 31 32 2N2907A P 60 0,6 0,4 25 100-300 150 0,4 150/15 100 0,15 SOT-18(1) 32 DISPARADORES PNPN IH t, TIPO (V) (V) 1cus,δ = 0,01 (mW) máx máx máx. ENCAPS. (A) (V) (mA) (ns) 33 BRY39 70 5 2,5 20 275 1,4 1 80 SOT-18(14) 33 BRY56 70 70 2,5 20 300 1,4 80 SOT-54(12) 34 34 FET (CANAL N) JUNÇÃO -V(p)GS F TIPO Tamb. máx. min-máx max f=1kHz tip tip ENCAPSULAMENTO (V) (mW) a (nA) (mA) (v) (mA/V) (pF) (dB) 35 BF245A 30 300 75 5 2-6,5 8 3,0 1,5 SOT-54(16) 35 3,0 1,1 1,5 SOT-54(16) 36 36 BF245B 30 300 75 5 6-15 8 37 BF245C 30 300 75 5 12-25 8 3,0 1,1 SOT-54(16) 37 38 BF410A 20 300 75 10 0,7-3,0 0,8(tip) 2,5 0,3 1,5 SOT-54(16) 38 39 20 300 75 10 2,5-7,0 4,0 0,3 1,5 SOT-54(16) 39 1,5 SOT-54(16) 40 40 BF410C 20 300 75 10 6-12 2,2(tip) 0,3 41 BF410D 300 75 10 10-18 3(tip) 7,0 0,3 1,5 SOT-54(16) 41 20 42 BFW10 30 300 25 0,1 8-20 8 3,2 0,8 2,5 SOT-18(9) 42 43 300 25 0,1 4-10 6 3,2 0,8 2,5 SOT-18(9) 43 30 44 44 BFW12 30 150 110 0,1 1-5 2,5 0,5 0,8 SOT-18(9) 45 BFW13 30 150 110 0,1 0,2-1,5 1,2 0,5 0,8 SOT-18(9) 45 46 BFW61 25 300 25 1,0 2-20 8 1,8 2 SOT-18(9) 46 MOS (PORTA DUPLA) TIPO -loss F ENCAPSULAMENTO f=1kHz (V) (mW) a (mA) tip máx máx.(v) (mA/V) (pF) (dB) máx.(nA) 47 BFR84 20 300 25 10 20-55 3,8 12 30 3 SOT-18(17) 47 48 BF981 20 225 75 100 5-25 2,5 10 0,025 2 SOT-103 48INSTITUTO PADRE REUS 28 E DEFLEXÃO POL. VCEO APLICAÇÕES TÍPICAS TIPO (V) tip Encapsulamento (A) (w) min-máx a (mA) (MHz) 49 BC107 N 45 0,1 0,3 25* 110-450 2 300 SOT-18(1) AF- amplificador; uso geral 50 BC108 N 20 0,1 0,3 25* 110-800 2 300 SOT-18(1) AF- amplificador; uso geral 25* 200-800 2 300 SOT-18(1) AF- pré-amplificador (baixo 51 BC109 N 20 0,1 0,3 52 BC177 P 45 0,1 0,3 25* 75-260 2 150 SOT-18(1) AF- amplificador; uso geral 53 BC178 P 25 0,3 25* 125-500 2 150 SOT-18(1) AF- amplificador; uso geral 54 BC179 P 20 0,1 0,3 25* 125-500 2 150 SOT-18(1) AF- pré-amplificador (baixo ruído) BC237 N 45 0,3 25* 110-450 2 300 SOT-54(2) Substituir por BC 547 55 56 BC238 N 20 0,1 0,3 25* 110-800 2 300 SOT-54(2) Substituir por BC 548 57 BC239 N 20 0,1 0,3 25* 200-800 2 300 SOT-54(2) Substituir por BC 549 58 BC307 P 45 0,1 0,3 25* 75-475 2 150 SOT-54(2) Substituir por BC 557 59 BC308 P 25 0,1 0,3 25* 75-475 2 150 SOT-54(2) Substituir por BC 558 60 BC309 P 20 0,1 0,3 25* 150 SOT-54(2) Substituir por BC 559 125-475 2 61 BC327 P 45 0,5 0,8 25* 100-600 100 100 SOT-54(2) AF- excitador e saída até 2,5 W 62 BC328 P 25 0,5 0,8 25* 100-600 100 100 SOT-54(2) AF- excitador e saída até W 63 BC337 N 45 0,5 0,8 25* 100-600 100 200 SOT-54(2) AF- complementar do BC 327 64 BC338 N 25 0,5 0,8 25* 100-600 100 200 SOT-54(2) AF- complementar do BC 328 65 BC368 N 20 1 25* 85-375 500 60 SOT-54(8) AF- estágio de até 3 W 66 BC369 P 20 1 25* 85-375 500 60 SOT-54(8) AF- complementar do BC 368 67 BC375 N 20 1 0,8 25* 60-340 150 150 SOT-54(2) AF- estágio de até 2 W 68 BC376 P 20 0,8 25* 60-340 150 150 SOT-54(2) AF- complementar do BC 375 69 BC546 N 65 0,1 0,5 25* 110-450 2 300 SOT-54(2) AF- amplificador; TV uso geral 70 BC547 N 45 0,1 0,5 25* 110-800 2 300 SOT-54(2) AF- amplificador; TV uso geral 71 BC548 N 30 0,1 0,5 25* 110-800 2 300 SOT-54(2) AF- amplificador; TV uso geral 72 BC549 N 30 0,1 0,5 25* 200-800 2 300 SOT-54(2) AF- pré-amplificador (baixo ruído) 73 BC550 N 45 0,1 0,5 25* 200-800 2 300 SOT-54(2) AF- pré-amplificador (baixo ruído) 74 BC556 P 65 0,1 0,5 25* 75-250 2 150 SOT-54(2) AF- amplificador; TV uso geral 75 BC557 P 45 0,1 0,5 25* 75-475 2 150 SOT-54(2) AF- amplificador; TV uso geral 76 BC558 P 30 0,1 0,5 25* 75-475 2 150 SOT-54(2) AF- amplificador; TV uso geral 77 BC559 P 30 0,1 0,5 25* 125-475 2 150 SOT-54(2) AF- pré-amplificador (baixo 78 BC560 P 45 0,1 0,5 25* 125-475 2 150 SOT-54(2) AF- pré-amplificador (baixo ruído) 79 BC635 N 45 1 25* 40-250 150 130 SOT-54(8) AF- excitador e saída até 3 W 80 BC636 P 45 1 25* 40-250 150 50 SOT-54(8) AF- complementar do BC 635 81 BC637 N 60 1 1 25* 40-160 150 130 SOT-54(8) AF- excitador e saída até 3 W 82 BC638 P 60 1 1 25* 40-160 150 50 SOT-54(8) AF- complementar do BC 637 83 BC639 N 80 1 1 25* 40-160 150 130 SOT-54(8) AF- excitador e saída até 3 W 84 BC640 P 80 1 25* 40-160 150 50 SOT-54(8) AF- complementar do BC 639 85 BCY30A P 64 0,05 0,6 25* 10- 35 20 7 SOT-5 Uso industrial em geral 86 BCY31A P 64 0,05 0,6 25* 15- 60 20 7 SOT-5 Uso industrial em geral 87 BCY32A P 64 0,05 0,6 25* 20- 70 20 7 SOT-5 Uso industrial em geral 88 BCY33A P 32 0,05 0,6 25* 10- 35 20 7 SOT-5 Uso industrial em geral 89 BCY34A P 32 0,05 0,6 25* 16- 60 20 7 SOT-5 Uso industrial em geral 90 BCY58 N 32 0,2 1 45* 120-630 2 280 SOT-18(1) Amplificação e comutação 91 BCY59 N 45 0,2 1 45* 120-630 2 280 SOT-18(1) Amplificação e comutação 92 BCY70 P 40 0,2 0,35 25* >100 10 >250 SOT-18(1) Uso industrial em geral 93 BCY71 45 0,2 0,35 25* 100-400 10 >250 SOT-18(1) Uso industrial em geral (baixo ruído) 94 BCY72 P 25 0,2 0,35 25* >100 10 >250 SOT-18(1) Uso industrial em geral 95 BCY78 P 32 0,2 45** 120-630 2 180 SOT-18(1) Amplificação e comutação 96 BCY79 P 45 0,2 1 45** 250-460 2 180 SOT-18(1) Amplificação e comutação 97 BD115 N 180 0,15 6 50* >22 50 145 SOT-39 AF- TV- saída até 2 W p/ alta tensão 98 BD135 N 45 8 70 40-250 150 250 SOT-32 AF- TV saída vertical P&B 99 BD136 P 45 8 70 40-250 150 75 SOT-32 AF- TV- complementar do BD 135 100 BD137 N 60 1 8 70 40-250 150 250 SOT-32 AF- excitador; TV saída vertical P&B 101 BD138 P 60 8 70 40-250 150 75 SOT-32 AF- complementar do BD 137 102 BD139 N 80 1 8 70 40-250 150 250 SOT-32 AF- excitador; TV saída vertical P&B 103 BD140 P 80 8 70 40-251 150 75 SOT-32 AF- complementar do BD 139 104 BD232 N 300 0,25 15 57,5 25-150 50 20 SOT-32 excitador horizontal p/ alta tensão 105 BD233 N 45 2 25 25 40-250 150 >3 SOT-32 AF- TV saída vertical cores 106 BD234 P 45 2 25 25 40-250 150 >3 SOT-32 AF- TV- complementar do BD 233 107 BD235 N 60 2 25 25 40-250 150 >3 SOT-32 AF- saída vertical cores 108 BD236 P 60 2 25 25 40-250 150 >3 SOT-32 109 AF- complementar do BD 235 BD237 N 80 2 25 25 40-250 150 >3 110 AF- excitador; saída vertical cores BD238 P 80 2 25 25 111 40-250 150 >3 SOT-32 BD262 AF- IV- complementar do BD 237 P 60 4 40 25 112 BD262A >750 1500 7 SOT-32 AF- Darlington p/ saída até 25 W P 80 4 40 25 >750 BD262B P 1500 7 SOT-32 113 100 AF- Darlington p/ saída até 25 W 4 40 25 >750 1500 7 SOT-32 114 BD263 N 60 AF- Darlington p/ saída até 25 W 4 40 25 >750 1500 7 SOT-32 115 BD263A N 80 AF- complementar do BD 262 4 40 25 1500 7 SOT-32 116 BD263B N 100 AF- complementar do BD 262A 4 40 25 >750 1500 7 SOT-32 117 BD291 N 45 6 AF- complementar do BD 262B 60 25 >30 3000 >3 SOT-82 118 BD292 P 45 AF- saída de áudio até 36 W 6 60 25 >30 3000 >3 SOT-82 AF- complementar do BD 291INSTITUTO PADRE REUS 29 AUDIOFREQÜÊNCIA E DEFLEXÃO POL. VCEO TIPO (V) (A) (w) tip Encapsulamento APLICAÇÕES TÍPICAS min-máx a (mA) (MHz) 119 BD293 N 60 6 60 25 >30 2000 >3 SOT-82 AF- saída de áudio até 35 W 120 BD294 P 60 6 60 25 >30 2000 >3 SOT-82 AF- complementar do BD 294 121 BD329 N 20 3 15 45 85-375 500 130 SOT-32 AF- saída auto-rádio até 10 W 122 BD330 P 20 3 15 45 85-375 500 100 SOT-32 AF- complementar do BD 329 123 BD331 N 60 6 60 25 3000 7 SOT-82 AF- Darlington p/ saída até 35 W 124 BD332 P 60 6 60 25 >750 3000 7 SOT-82 AF- complementar do BD 331 125 BD333 N 80 6 60 25 750 3000 7 SOT-82 AF- Darlington p/ saída até 35 W 126 BD334 P 80 6 60 25 750 3000 7 SOT-82 AF- complementar do BD 333 127 BD335 N 100 6 60 25 750 3000 7 SOT-82 AF- Darlington p/ saída até 35 W 128 BD336 P 100 6 60 25 750 3000 7 SOT-82 AF- complementar do BD 335 129 BD433 N 22 4 36 25 85-475 500 >3 SOT-32 AF- saída auto-rádio até 15 W 130 BD434 P 22 4 36 25 85-475 500 >3 SOT-32 AF- complementar do BD 433 131 BD435 N 32 4 36 25 85-475 500 >3 SOT-32 AF- saída auto-rádio até 15 W 132 BD436 P 32 4 36 25 85-475 500 >3 SOT-32 AF- complementar do BD 435 133 BD437 N 45 4 36 25 85-375 500 >3 SOT-32 AF- auto-rádio até 15 W 134 BD438 P 45 4 36 25 85-375 500 >3 SOT-32 AF- complementar do BD 437 135 BDV64 P 60 10 125 25 1000 5000 SOT-93 AF- Darlington p/ saída até 70 W 136 BDV64A P 80 10 125 25 1000 5000 SOT-93 AF- Darlington p/ saída até 70 W 137 BDV64B P 100 10 125 25 1000 5000 SOT-93 AF- Darlington p/ até 70 W 138 BDV65 N 60 10 125 25 1000 5000 SOT-93 AF- complementar do BDV 64 139 BDV65A N 80 10 125 25 1000 5000 SOT-93 AF- complementar do BDV 64A 140 BDV65B N 100 10 125 25 1000 5000 SOT-93 AF- complementar do BDV 64B 141 BDV91 N 60 10 90 25 >20 4000 >4 SOT-93 AF- saída até 50 comutação 142 BDV92 P 60 10 90 25 >20 4000 >4 SOT-93 Complementar do BDV 91 143 BDV93 N 80 10 90 25 >20 4000 >4 SOT-93 AF- saída até 50 comutação 144 BDV94 P 80 10 90 25 >20 4000 >4 SOT-93 Complementar do BDV 93 145 BDV95 N 100 10 90 25 >20 4000 >4 SOT-93 AF- saída até 50 comutação 146 BDV96 P 100 10 90 25 >20 4000 >4 SOT-93 Complementar do BDV 95 147 BDY90 N 100 10 40 75 30-120 5000 70 SOT-3 Conversores, inversores, controle comutação 148 BDY91 N 80 10 40 75 30-120 5000 70 SOT-3 Conversores, inversores, controle comutação 149 BDY92 N 60 10 40 75 30-120 5000 70 SOT-3 Conversores, inversores, controle comutação 150 BU205 N 700 2,5 10 90 2 2000 7,5 SOT-3 saida horizontal TV P&B 151 BU208A N 700 5 12,5 95 2,5 4500 7 SOT-3 saída horizontal IVC 152 BU426 N 375 6 70 73 tip 30 600 6 SOT-93 Fontes de alimentação comutadas 153 BU433 N 375 6 70 73 tip 40 600 6 SOT-93 Fontes de alimentação comutadas 154 BUW84 N 400 2 40 50 tip 50 100 20 SOT-82 Fontes de alimentação comutadas 155 BUX80 N 400 10 100 40 tip 30 1200 6 SOT-3 Fontes de alimentação comutadas 156 BUX82 N 400 6 60 50 tip 30 600 6 SOT-3 Fontes de alimentação comutadas 157 BUX86 N 400 0,5 20 60 tip 50 50 20 SOT-32 Fontes de alimentação comutadas 158 2N3055 N 70 15 115 25 20-70 4000 >0,8 SPT-3 AF- saída de áudio até 60 W RADIOFREQÜÊNCIA TIPO POL. Encapsulamento APLICAÇÕES (w) (V) min-máx (mA) (mA) (MHz) (dB) a (MHz) 159 BF115 N 30 30 0,145 45-165 1 230 4100 SOT-18(2) Uso geral em rádio e TV 160 BF167 N 30 25 0,130 26 4 350 SOT-18(2) TV-FI video contr. por CAG 161 BF173 N 25 25 0,26 37 7 550 SOT-18(2) TV-FI video 162 BF180 N 20 20 0,15 13 2 675 estágio RF sintoniz. (VHF/UHF) 163 BF181 N 20 20 0,15 13 2 600 oscilador/misturador. (VHF/UHF) 164 BF182 N 20 15 0,15 10 2 650 TV- misturador em seletor (VHF/UHF) 165 BF183 N 20 15 0,15 10 3 800 em seletor (VHF/UHF) 166 BF184 N 20 30 0,145 75-750 1 300 SOT-18(2) AM-FM conversor e ampl. RF/FI 167 BF185 N 20 30 0,145 34-140 1 220 4100 AM-FM conversor e ampl. RF/FI 168 BF198 N 30 25 0,5 26 4 400 SOT-54(4) TV-FI video contr. por CAG 25 0,5 37 7 550 SOT-54(4) TV-FI video 169 BF199 N 25 170 BF200 N 20 20 0,15 15 3 650 estágio RF sint. c/CAG 171 BF254 N 20 30 0,25 66-222 1 260 4100 SOT-54(4) Substituir por BF 494 172 BF255 N 20 30 0,25 35-125 1 200 4100 SOT-54(4) Substituir por BF 495 173 BF324 P 30 25 0,25 25 4 450 SOT-54(2) IV-FM estágio RF sint. /oscilador 174 BF422 N 250 50 0,83 50 25 (60) SOT-54(8) TV- saida de cl. B e TVC 175 BF423 P 250 50 0,83 50 25 (60) SOT-54(8) complementar do BF 422 176 BF457 N 160 (300) 6 26 30 90 SOT-32 TV- saida de e de croma-classe A 177 BF458 N 250 (300) 6 26 30 90 SOT-32 TV- saida de video e croma-classe A 300 (300) 6 26 30 90 SOT-32 de e de croma-classe A 178 BF459 N 179 BF480 N 15 20 0,14 10 10 1600 SOT-37(4) TV- est. RF linear de selet. "varicaps" 180 BF494 N 20 30 0,3 66-222 1 260 4100 AM-FM- conversor e ampl. RF/FI 181 BF495 N 20 30 0,3 35-125 1 200 4100 AM-FM- conversor e RF/FI 182 BF496 N 20 20 0,3 13 2 550 2100 IV-FM estágio RF sint. TV-FM estágio RF sint. /oscilador 183 BF936 P 20 25 0,25 26 350 SOT-54(2) 184 2N918 N 15 50 0,2 20 3 (900) (6) 60 Osc. e ampl. baixa pot. VHF/UHF 185 2N1613 N (50) (1000) 0,8 40-120 150 (60) SOT-39 alta freq./chaveamento 186 2N1711 N (50) (1000) 0,8 100-300 150 (70) SOT-39 Ampl. alta freq./chaveamento30 INSTITUTO PADRE REUS BANDA LARGA (POLARIDADE N-P-N) VALORES DE CIRCUITO (TIP) CARACTERÍSTICAS TIPO VCEO a ENCAPSU- (MHz) (mW) (db) (V) (mA) (V) (mA) (mW) (mA) tip(GHz) tip(dB) LAMENTO 187 BFW16A 200 150 16 18 70 25 300 1500 >25 150INSTITUTO PADRE REUS 31 Termi- Pd IT TIPO POLAR. Encaps. Máx nais (v) máx APLICAÇÕES TÍPICAS (v) Min. 123 (mA) (mW) min-máx (MHz) BD 135 NPN TO-126 45 45 1,5A 8(2) 250 40 250 Excitador e de áudio em HI-FI e Complementar do BD 1,5A 8(2) 75 40 BD 136 PNP TO-126 45 45 250 Excitador e saída de áudio em HI-FI e TV. Complementar do BD 135. BD 137 NPN TO-126 60 60 1,5A 8(2) 250 40 160 Excitador e saida de áudio em HI-FI e TV. Complementar do BD 138. BD 138 PNP TO-126 BCE 60 60 1,5A 8(2) 75 40 160 Excitador e de áudio em HI-FI e TV. Complementar do BD 137. BD 139 NPN TO-126 80 100 1,5A 8(2) 250 40 160 Excitador e de áudio em HI-FI e TV. Complementar do BD 140. BD 140 NPN TO-126 80 100 1,5A 8(2) 75 40 160 Excitador e saída de áudio em HI-FI e TV. Complementar do BD 139 BF 457 NPN TO-126 160 160 300 6(3) 90 26 80 Estágio de do video para TV P/B. Saída de luminância em TV a cores. BF 458 NPN TO-126 250 250 300 6(3) 90 26 80 Estágio de saída do video para TV P/B. Saida de luminância em TV a cores. BF 459 NPN TO-126 BCE 300 300 300 6(3) 90 26 80 Estágio de do video para TV P/B. de em TV a cores. PA 6003 NPN TO-105 EBC 25 25 800 360 150 40 400 Excitador de saída de áudio, comutação em média corrente. Complementar do PB (4) 6003. Tipo substituto: PA 6013 PAM NPN TO-5 EBC 25 25 800 800 150 40 400 Excitador de de áudio, comutação em média corrente. Complementar do PBM 6003 6003. Tipo substituto: BD 135 (4) PA6013 NPN TO-92 EBC 25 25 800 500 150 60 450 Excitador de saída de áudio, comutação em média corrente. Complem. do PB 6013. PA 6005 NPN TO-105 15 25 800 360 200 100 400 Saida de áudio de baixa saturação: Complementar do 6005. Tipo substituto: PA (4) 6015 PA6015 NPN TO-92 EBC 15 25 800 500 200 60 800 Saída de áudio de baixa saturação: Complementar do PB 6015 PB 6003 PNP TO-105 EBC 25 25 800 360 150 40 400 Excitador de saida de áudio, comutação em média corrente. Complementar do PA (4) 6003. Tipo substituto: PB 6013 PBM PNP TO-5 EBC 25 25 800 800 150 40 400 Excitador de saida de áudio, comutação em média corrente. Complementar do PAM 6003 6003. Tipo substituto: BD 136 (4) PB 6013 PNP TO-92 EBC 25 25 800 500 150 60 450 Excitador de saida de áudio, comutação em média corrente. Complem. do PA 6013. PB 6004 PNP TO-105 EBC 60 60 800 360 200 40 400 Uso geral em baixa Comutação em média corrente, excitador de saida (4) de áudio HI-FI. Tipo substituto: PB 6014. PBM PNP TO-5 EBC 60 60 800 800 200 40 400 Uso geral em baixa Comutação em média corrente, excitador de saída 6004 de HI-FL Tipo substituto: BD 138. (4) PB PNP TO-92 EBC 60 60 800 500 200 60 450 Uso geral em baixa Comutação em média corrente, excitador de 6014 de áudio HI-FI. PB PNP TO-105 EBC 15 25 800 360 200 100 400 de áudio de baixa saturação: Complementar do PA 6005. Tipo substituto: PB 6005 6015 (4) PB PNP TO-92 EBC 15 25 800 500 200 60 800 de áudio de baixa saturação: Complementar do PA 6015. 6015 NOTAS: (1) Seqüência de terminais conforme numeração nos desenhos abaixo (2) Potência em Watts, para = 70°C (Temperatura do suporte metálico). (3) Potência em Watts, para 90°C (Temperatura do suporte metálico). (4) Para novos projetos, consulte nossa indicação de tipos substitutos. TO-106 TO-220 3 2 TO-92 3 TO-5 3 2 2INSTITUTO PADRE REUS 32 TESTE DO TRANSISTOR NO CIRCUITO Esta prova consiste em medir tensões nos três terminais do transistor sem que seja necessário tirá-lo do circuito. EXECUÇÃO 1 Você deverá colocar a chave do equipamento na posição ligado (equipamento energizado). 2 Coloque multímetro em DC na escala de tensão de alimentação de polarização do transistor. 3 Coloque a ponta de prova do instrumento que servirá de referência para massa do circuito. A ponteira preta se negativo da fonte estiver ligado ao massa (é 0 caso dos transistores do tipo NPN), ou a ponteira vermelha se positivo da fonte estiver ligado ao massa (é caso dos transistores do tipo PNP). As tensões encontradas deverão obedecer os seguintes critérios: > Vb > (tensão de coletor maior que a tensão de base que deverá ser maior que a tensão do emissor); Vb Vₑ = 0,2 V a 0,3 V para transistor de germânio; Vb Vₑ = 0,6 V a 0,7 V para transistores de silício. Os valores acima serão aproximadamente os seguintes: = a tensão de coletor varia entre 1/3 a 3/4 da tensão de alimentação (Vcc); = a tensão de base deverá ser 0,2V a 0,3V maior que a tensão do emissor para os transistores de germânio; = a tensão de base deverá ser 0,6V a 0,7V maior que a tensão do emissor para os transistores de silício; = a tensão de emissor deverá ser zero volts no máximo 1/3 da tensão de alimentação (Vcc). a) Se a tensão do coletor for muito alta ou igual a da alimentação e a tensão de base for zero volts, 0 transistor está aberto. b) Se a tensão do coletor for muito baixa igual a do emissor, transistor está em curto. c) Se a tensão de base for igual a tensão do emissor transistor está em curto.INSTITUTO PADRE REUS 33 TESTE DO TRANSISTOR FORADO CIRCUITO Com esta prova verificamos: estado das junções de um transistor; se ele está ou não em condições de funcionamento e, detectar eventuais fugas que podem comprometer sua aplicação. EXECUÇÃO 1 - Coloque na escala mais baixa de resistência: ohmx 1 ou ohmx 10. 2 - Faça ajuste zero do instrumento. 3 - Faça as seguintes medições: 1. resistência direta entre coletor-emissor. alto 2. resistência inversa entre coletor-emissor. alto 3. resistência direta entre base-emissor. Baixo 4. resistência inversa entre base-emissor. alto 5. resistência direta entre base-coletor. Baixo 6. resistência inversa entre base-coletor. alto As medidas devem ter os seguintes resultados para um transistor em bom estado: TERMINAIS RESISTÊNCIA DIRETA RESISTÊNCIA INVERSA coletor-emissor valor alto valor alto base-emissor valor baixo valor alto base-coletor valor baixo valor alto As resistências altas devem ser superior a 2 Mega-ohms para transistores de silício e da ordem de 1 Mega-ohms para transistores de germânio. As resistências diretas variam de alguns ohms até 1000 ohms (1k) Medidas de altas. resistências onde deveriam ser de baixo valor indicam um transistor aberto. Medidas de baixa resistência onde deveriam ser de alto valor, indicam um transistor em curto. TESTE DE TRANSISTOR UNIJUNÇÃO (UJT) Este teste verifica a resistência entre bases e de junção única. Com esta34 INSTITUTO PADRE REUS prova, podemos determinar o estado geral do transistor unijunção tomando como base o tipo mais comum que é o transistor 2N2646. Podemos detectar o estado substrato (resistência entre bases) e da junção única, podendo estabelecer com isso as condições de funcionamento. Para teste do substrato siga os procedimentos: a - Coloque 0 multimetro na escala de resistência: ohms x 10 ou ohms x 100. b Zere 0 instrumento. c - Meça as resistências entre as bases (B₁ e do transistor unijunção. Não importa a polaridade, pois a resistência medida é ohmica. Resistência medida entre 4 k e 10 k significa que transistor unijunção está com substrato, ligação entre bases, em boas condições. Resistência infinita ou muito alta, significa que 0 transistor está aberto. A ligação entre as bases de um transistor unijunção não tem nenhuma junção, de modo que medimos uma resistência pura. Esta resistência para o transistor 2N2646 varia tipicamente entre 4,7 e 9,1 k, mas pode variar ainda mais se levarmos em conta outros tipos de unijunção. Uma vez feito o teste de resistência entre as bases, deve também ser feito o: Teste da junção única a - Coloque na escala de resistência ohms x 10 ou ohms x 100. b - Zere instrumento. c - Meça a resistência no sentido direto e no sentido inverso entre a base ou e emissor. Para transistor 2N2646, esta resistência é medida entre 0 terminal do meio e qualquer um dos extremos. No sentido inverso, temos a leitura de uma resistência infinita e no sentido direto uma resistência baixa (em torno de 5 k para um multímetro de ohms por volts na escala de ohms 100) Isto significa que o transistor está em boas condições. Se a resistência encontrada nas duas medidas for alta ou infinita éINSTITUTO PADRE REUS 35 porque o transistor está aberto. Se a resistência encontrada nas duas medidas for zero ou muito baixa, é porque o transistor está em curto. A explicação para essas leituras é que entre o emissor e o substrato que une as duas bases existe uma junção que se comporta como um diodo comum. Quando polarizamos no sentido direto, esta junção deve apresentar uma resistência muito baixa. valor encontrado depende da tensão de prova do multímertro e da escala usada, mas não deve passar de 10 k A resistência no sentido inverso, por outro lado, deve ser extremamente alta, indicada por infinito nos instrumentos comuns. 01. terminal do FET que controla a corrente pelo dispositivo é chamado de: a) supridouro; b porta; c) dreno. 02. Num FET de canal N, substrato é material do tipo: a P; b) N; c) tanto faz, pode ser do tipo P ou N. 03. Quanto à impedância de entrada dos FETs, comparada com a dos transistores convencionais podemos afirmar que é: a) baixa; b) média; alta. 04. transistor unijunção: a) fornece amplificação; b pode ser usado como chave eletrônica; c) as duas alternativas estão corretas.INSTITUTO PADRE REUS 36 05. Para evitar 0 aquecimento excessivo do transistor regulador, 0 mesmo deverá ser montado: a sobre dissipadores; b) em local refrigerado; c) nenhuma das alternativas está correta. 06. A lâmina de mica, colocada entre transistor de potência e 0 dissipador de calor, apresenta as seguintes características: a) é um condutor térmico e um condutor elétrico; b) é um condutor elétrico e um isolante térmico; C é um condutor térmico e um isolante elétrico. 07. Qual é a função de um dissipador de calor? a Transferir para meio ambiente calor produzido na junção do transistor. b) Manter a temperatura da junção do transistor num valor acima do limite especificado pelo fabricante. c) Fazer com que calor gerado na junção não saia do invólucro do transistor. 08. Transistores de baixo sinal operam com: a) correntes e tensões elevadas, sendo a potência desenvolvida durante seu funcionamento muito baixa. b correntes e tensões reduzidas sendo a potência desenvolvida durante seu funcionamento muito baixa. c) correntes e tensões reduzidas, sendo a potência desenvolvida durante seu funcionamento muito alta. 09. Desejando-se um transistor NPN, para AF, num circuito em que a corrente máxima seja e a tensão seja 20V no máximo, consultando a tabela da página 10, podemos utilizar transistor: a) BC 547 b) BD 234 2A BC 635 1AINSTITUTO PADRE REUS 37 10. Desejando-se um transistor equivalente ao BC 547, consultando a tabela, podemos usar: a) BC 559 b BC 550 NPN 011A BC c) BC 557 PNP 011A 547 NPN 45V, 11. melhor método para substituição de um transistor é: a) consultar a tabela e verificar as características do transistor a ser substituído; b) procurar, pela tabela, outro transistor que tenha as mesmas características, ou pelo menos características similares às do transistor a ser substituído; C as alternativas a e b estão corretas. 12. Para identificar os terminais de um transistor, devemos, em primeiro lugar, verificar: a seu encapsulamento; b) suas características; c) nenhuma das alternativas acima está 13. O componente designado por BY 127 é: a) um diodo retificador de germânio; b um diodo retificador de silício; De c) um transistor de germânio. 14. transistor BC 639 é: a) de germânio, para RF, de baixo sinal; b de silício, para AF, de baixo sinal; NPN, 80V, 1A c) de germânio, para AF, de potência. B 15. O componente designado por BZX 79 C6V1 é um: a) diodo zener de germânio, cujo valor nominal da tensão zener é 6,1V; b diodo zener de silício, cujo valor nominal da tensão zener é 6,1V; c) diodo zener de silício, de valor nominal da tensão zener é 6 volts. B = 6,1V38 INSTITUTO PADRE REUS 16. código 2SB45A designa um transistor do tipo: PNP a) PNP, de alta freqüência; b) NPN, de baixa freqüência; 2= transistor netificador controlado S= semicondutor PNP, de baixa freqüência. 45= A do 17. Os transistores com invólucro do tipo SOT-54 tem como referência, para identificação dos seus terminais, uma: a) lingüeta metálica; b) pinta colorida; 0 região chanfrada. CBE GABARITO 01.b 08.b 13.b 04.b 14.b 15.bCENTRAL DE ATENDIMENTO PARA TODO BRASIL (0xx51) 3711-4000 LIGUE JÁ! FALE COM A Profa REGINA CIPR INSTITUTO PADRE REUS TRANSFORMANDO PESSOAS EM PROFISSIONAIS QUALIFICADOS MANTENEDORA DE ESTABELECIMENTO DE ENSINO Matrícula 540/99 CEE/RS Rua Ernesto Alves, 1087 Caixa Postal 96 96810-912 Santa Cruz do Sul - RS Fone: / Fax: www.preus.com.br / e-mail: central@preus.com.br