Trabalho1-dispositivos

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Universidade Federal da Bahia 
Escola Politécnica - DEE 
Disciplina: ENGC41 – Dispositivos Eletrônicos 
Docente: Ana Isabela Cunha 
 
Leandro Gama & Vinícius Ferreira 
 
 
 
1. Caracterização e Modelagem do Diodo. 
1.1.Simulação no ltSpice 
 
 
Figura(1) 
 Simulação da característica do diodo RR1LAM4S. 
1.2.Simulada vs Exponencial 
 
Figura(2) 
 
 
 
1.3.Tabela 
 
Parâmetros de Modelagem 
Modelo Exponencial 
Modelo Linearizado 
por Partes 
IS (nA) η VD0 (V) rD (Ω) 
27,7 1,99 0,807 0,121 
 
 
 
 
1.4.Simulada vs Linerizada 
 
Figura(3) 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.5. Memorial de calculo. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2. Análise de Retificadores. 
2.1.Gráficos 
 
 
Figura(4) – Sinal vs retificado 
 
 
Figura(5) – Tensão no diodo 
 
Figura (6)- Retificador 
 
Figura(7) – Corrente no diodo 
 
 
 
 
 
 
 
 
2.2.Tabela 
Tabela 
Propriedade vOUTmáx (V) T1 (ms) T2 (ms) vDmáx (V) vDmin (V) 
Calculada teoricamente 18,22 7,54 0,23 0,894 19,11 
Obtida por simulação 18,20 7,92 0,39 0,893 19,10 
 
Tabela 3 
iDmáx (A) C (μF) vOUTmáx (V) vOUTmin (V) VDC (V) ΔV (V) r% 
5,68 0,0047 17,91 16,99 17,04 0,9 0,015 
 
 
 
2.3.Memorial de calculo. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3. Análise de um Circuito com Diodo. 
3.1.Memorial de calculo 
 
 
 
 
3.2. Tabela 
 
 
 
 
 
 
Tabela 4 (Questão 3) 
 
 
 
a) Expressão de Vth em termos de x 30𝑥(𝑥 − 1)−1 
Expressão de Rth em termos de x (𝑥 − 1)−1
108𝑥2 − 64𝑥 − 22
 
b) x no limiar de condução 
c) iD de operação: (0,01 + 0,01.N) A 
vD (V) de operação (obtida teoricamente) 
x para iD = (0,01 + 0,01.N) A 
Vth para iD = (0,01 + 0,01.N) A 
Rth para iD = (0,01 + 0,01.N) A 
d) iD (A) de operação (obtida graficamente) 
vD (V) de operação (obtida graficamente) 
 
 
 
 
Salvador - BA, outubro de 2021