t1_eletronica de potencia

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Prof. Alfredo Ganime Jr. Página 1 de 3 8/10/2020 
DISCIPLINA: ELETRÔNICA DE POTÊNCIA – TRABALHO T1 
 
1- DESCREVA DUAS TÉCNICAS PARA DESLIGAR UM SCR. 
Os dois métodos para desligar um SCR são classificados como interrupção 
da corrente do ânodo e técnica de comutação forçada [2]. ... Outra forma de 
interromper um SCR é utilizando um capacitor de comutação 
 
2- COMO FUNCIONA UM “GTO”, COMO DIFERE DE UM “SCR”? 
O GTO permite o desligamento pelo gate, por pulso negativo de alta corrente, 
daí o nome (Gate Turn Off, desligamento pelo gate). Estruturalmente, é similar 
ao SCR, mas a dopagem e a geometria da camada do gate permite minimizar 
o sobre-aquecimento durante o desligamento (o que destruiria um SCR). 
 
3- EXPLIQUE O FUNCIONAMENTO DO TRIAC . 
Um TRIAC, ou "triodo para corrente alternada", é um componente eletrônico 
semelhante a dois retificadores controlados de silício (SCR/tiristores) ligados 
em antiparalelo, porém com construção que permite operação com um único 
terminal de disparo ("gate"). ... O TRIAC faz parte da família dos tiristores. 
 
4- O QUE É UM “IGBT”? QUAIS SÃO AS SUAS VANTAGENS 
COMPARADO AOS OUTROS DISPOSITIVOS DE ELETRÔNICA DE 
POTÊNCIA? 
IGBT é o acrônimo para Insutaled-Gate Bipolar Transistor, ou seja, transistor 
bipolar com comporta isolada.Trata-se de um transistor que na condução, ou 
seja, entre o coletor (C) e o emissor (E), se comporta como um transistor 
bipolar, mas não é disparado por uma corrente, pois em lugar da base temos 
uma comporta (gate) como num transistor de efeito de campo.Assim, seu 
disparo é feito por uma tensão, o que faz com que nesta operação, o 
dispositivo se comporte como um MOSFET.Podemos então dizer que esse 
dispositivo “combinado” tem as características dos dois componentes: Como 
um MOSFETÉ controlado por uma tensão; Exige os mesmos circuitos de 
disparo que os utilizados com os MOSFETs de potência; A velocidade de 
comutação é maior do que a obtida com os transistores bipolares. Como um 
Bipolar A queda de tensão que ocorre quando o dispositivo conduz é bem 
menor do que a que ocorre num MOSFET em condução; O IGBT não possui 
um diodo inverso intrínseco; Não há tensão de bloqueio inversa. 
 
 
5- EXPLIQUE O FUNCIONAMENTO DO CIRCUITO ABAIXO, SIMULE NO 
EWB E CALCULE O VALOR DE TENSÃO MÉDIA NO RESISTOR DE 
CARGA DE 1 KOHMS.(OBS.: COMPONENTE DE CHAVEAMENTO É UMA 
CHAVE CONTROLADA POR TENSÃO – EX. MOSFET).SE DIMINUIRMOS 
A TENSÃO DA BATERIA PARA 6 V, QUAL DEVE SER O DT(DUTY 
CYCLE) PARA MANTER A TENSÃO MÉDIA INICIAL. 
 
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6- A TENSÃO APLICADA EM UM RESISTOR DE 10 OHMS É 
v(t) = 170 SEN (377t) V. DETERMINE (a) UMA EXPRESSÃO PARA 
POTÊNCIA INSTANTÂNEA ABSORVIDA PELO RESISTOR, (b) A 
POTÊNCIA DE PICO E (c) A POTÊNCIA MÉDIA. 
7- A TENSÃO E A CORRENTE PARA UM DISPOSITIVO ( USANDO O 
SINAL DE CONVENÇÃO PASSIVO) SÃO FUNÇÕES PERIÓDICAS 
COM T = 100 ms DESCRITAS POR 
 
v(t) = 10 V 0<t<70ms ; 0 V 70ms<t<100ms 
i(t) = 0 A 0<t<50ms ; 4 A 50ms<t<100ms 
DETERMINE (a) A POTÊNCIA INSTANTÂNEA, (b) A POTÊNCIA MÉDIA E (c) 
A ENERGIA ABSORVIDA PELO DISPOSITIVO EM CADA PERÍODO. 
 
8- UMA RESISTÊNCIA ELÉTRICA DE UM AQUECEDOR COM 
VALOR NOMINAL DE 1500 W PARA UMA FONTE DE 
TENSÃO DE v(t) = 120 √2 SEN (2π60t) VOLTS TEM UMA CHAVE 
CONTROLADA POR UM TERMOSTATO. O AQUECEDOR É LIGADO 
PERIODICAMENTE POR 5 MIN E DESLIGADO POR 7 MIN. 
DETERMINE (a) A POTÊNCIA INSTANTÂNEA MÁXIMA, (b) A 
POTÊNCIA MÉDIA SOBRE O CICLO DE 12 min E (c) A ENERGIA 
ELÉTRICA CONVERTIDA PELO AQUECEDOR EM CADA 12 min. 
 
9- DETERMNE O VALOR RMS DAS FORMAS DE ONDAS DA TENSÃO E 
DA CORRENTE NO PROBLEMA 7. 
 
10- NA FIGURA ABAIXO , R= 4 OHM , L = 10 mH , Vcc = 12 V E v(t) = 50 + 
30cos(4π60t) + 10cos(8π60t) VOLTS. DETERMINE A POTÊNCIA 
ABSORVIDA PELOS ELEMENTOS. 
 
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11- QUAL A POTÊNCIA MÉDIA P EM UMA RESISTÊNCIA PURA DE 10 
OHMS, ONDE CIRCULA UMA CORRENTE i(t) = 14,14 COS wt 
AMPÈRES? 
12- ENCONTRE OS VALORES MÉDIO E EFICAZ DA FORMA DE ONDA 
EM DENTE DE SERRA MOSTRADA NA FIGURA ABAIXO. 
 
 50 V 
 
 
 
 
 0 s 2 s 3 s 4 s 5 s