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Lista de exercícios de Eletrônica Analógica com questões de múltipla escolha sobre estrutura atômica e elétrons de valência, semicondutores (silício), lacunas e funcionamento de diodos: barreira, corrente reversa, camada de depleção e tensão de ruptura.

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Eletrônica Analógica - Lista 01
1. A carga líquida de um átomo neutro de cobre é:
a) 0 c) -1
b )+1 d)+4
2. Suponha que um elétron de valência tenha sido retirado do átomo de cobre.
A carga líquida do átomo fica sendo:
a) 0 c) -1
b) +1 d) +4
3. o elétron de valência do átomo de cobre experimenta que tipo de atração na
direção do núcleo?
a) Nenhuma b) Fraca
c) Forte d) Impossível saber
4. Quantos elétrons de valência tem um átomo de silício?
a) 0 c) 2
b) 1 d) 4
5. Qual é o semicondutor mais largamente empregado?
a) Cobre b) Germânio
c) Silício d) Nenhum desses
6. Os átomos de silício combinam-se segundo um padrão ordenadamente
chamado de:
a) Ligação covalente b) Cristal
c) Semicondutor d) Órbita de valência
7. Cada elétron de valência num semicondutor intrínseco estabelece:
a) Uma ligação covalente b) Um elétron livre
c) Uma lacuna d) Uma recombinação
8. Na temperatura ambiente, um cristal de silício age aproximadamente como:
a) Uma bateria b) Um condutor
c) Um isolante d) Um pedaço de fio de cobre
9. Quando uma tensão externa é aplicada num semicondutor, as lacunas
circulam
a) Afastando do potencial negativo b) Em direção ao terminal positivo
c) No circuito externo d) Nenhum desses
10. Num semicondutor intrínseco, o número de elétrons livres é:
a) Igual ao número de lacunas b) Maior que o número de lacunas
c) Menor que o número de lacunas d) Nenhum desses
11. Na temperatura ambiente, um semicondutor intrínseco
a) Tem poucos elétrons e lacunas b) Tem muitas lacunas
c) Tem muitos elétrons livres d) Não tem lacunas
12. O fluxo de elétrons de valência para esquerda significa que o fluxo de
lacunas vai
a) Para a esquerda b) Para a direita
c) Nos dois sentidos d) Nenhum desses
13. Em que tipo de semicondutor as lacunas são portadores minoritários?
a) Extrínseco b) Intrínseco
c) Tipo n d) Tipo p
14. Qual é a barreira de potencial de um diodo de silício?
a) 0,3 V b) 0,7 V
c) 1 V d) 2 m V por grau Celsius
15. Para que a corrente num diodo de silício seja alta, a tensão aplicada deve
ser maior que:
a) 0 b) 0,3 V
c) 0,7 V d) 1 V
16. Num diodo de silício, a corrente reversa é geralmente:
a) Muito pequena b) Muito alta
c) Zero d) Na região de ruptura
17. A tensão em que se dá a ruptura é chamada de:
a) Barreira de potencial b) Camada de depleção
c) Tensão de joelho d) Tensão de ruptura
18. Quando a tensão reversa aumenta de 5 para 10 V, a camada de depleção:
a) Torna-se menor
b) Torna-se maior
c) Não é afetada
d) Atinge a ruptura
19. Uma tensão reversa de 20 V é aplicada num diodo. Qual é a tensão na
camada de depleção?
a) 0V b) 0,7 V
c) 20 V d) Nenhum desses

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