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PERDAS EM CHAVES SEMICONDUTORAS Psw = Vsw. Isw -IDEAL -IDEALMENTE: MENTE: 2. #0 Isw #0 Isw = Psw = Psw = 3. COMUTAGAO INSTANTANEA, ^ PERDAS NULAS Vsw - ISW - CASO REAL 10 DISPARO - Vsw - Isw CONDUÇÃO & T GRÁFiCO FORA DE ESCALA toN E >> E tsw(OFF) + CURVAS DE APROXIMADAS, A NÃO RETILINEA1. PERDAS POR (Pc) CONSIDERAMOS 05 INTERVALES TEMO (ton E Pc = + POFF DURANTE A CONDUÇÃO DE CORRENTE Vsw = TENSÃO DE DO DISPOSITIVO (VER NO DATASHEET) VSAT PARA TRANSISTORE: VAK PARA TIRISTORES Isw = CORRENTE ENTREGUE À CARGA: IL = VAK. IL POTENCIA COMO A CONDUÇÃO OCORRE APENAS POR UM FAZEMOS A PONDERAÇÃO PELO TEMPO Pon = T 1 VAK I2 It CICLO DE (DUTY CYCLE) = VAK. IL T d= = VAK. IL. d NA CHAVE DURANTE DE CORRENTE Vsw = DA FONTE Vs QUE A CHAVE IMPEDE DE CHEGAR NA CARGA IL = CORRENTE DE FUGA QUE PASSA MESMO com A CHAVE BLOQUGADA POFF = Vs. IF INSTANTANEA T = 1- POFF = T Vs IF = Vs. (1-d) NA toff CHAVEPERDAS DE Pc = VAK.IL.d + Vs. É 2. PERDAS POR CHAVEAMENTO APRO POR UMA POR UMA RETA (ex+d), COM >0, Pois É CRESCENTE (ax+b)(cx+d) = + (ab+bc) (bd) PARÁBOLA CONCAVIDADE PARA POIS PONTO DE DA COM 05 PONTOS DA CORRENTE E TENSÃO: MAX = 0,5IL ANALOGAMENTE: POR UMA SENOIDE = 1 6 Vs T (como A RETA É UMA NÃO PRECISAMOS NCS ATER À PARÁBOLA) LOGO' PCH = 6 1 Vs f 1 sem (wt)dwt = = 2TT 0 = 2 1 6 Vs IL PONDERANDO PELO TEMPO DE PSW(OFF) = 1 Vs ILPROTEÇÃO TÉRMICA: FAZER UMA DO TÊRMICO 0 - VAMOS MONTAR - NA A FUNCIONA COMO "CORRENTE TÉRMICA" NA ANALOGIA, CADA MATERIAL TEM UMA - NA DE TEMPERATURA FUNCIONA COMO "TENSÃO - A NA CHAVE DEVE FUNCIONAR como UMA FONTE, Pois É ELA QUEM ESQUENTA a me Rda 4 Psw Ta (Ta) - A TEMPERATURA AMBIENTE FUNCIONA FONTE, pois ELA INDEPENDE DO SEMICON- DUTOR- Rda = Do DISSIPADOR PARA AMBIENTE, E' AVE QUEREMOS CALCULAR Red Rda Ta to Tc 4 Psw - SE Rda É A RESISTENCIA TERMICA ENTRE DISSIPADOR E ENTAO A NESTA RESISTENCIA A TEMPERATURA EMTRE DISSIPADOR (d) E AMBIENTE (a). A TEMPERATURA NO DISSIPADOR É: Td = Rja. Psw +Ta - SE Red É A ENTRE ENCAPSULAMENTO E ENTÃO PODEMOS CALCULA A TENSAC A TEM PERATURA) NO ENCAPSULAMENTO: Tc = Red. Psw + Td - SE Rgc É A TÉRMICA A JUNGAC SEMICONDUTORA E ENCAPSULAMENTO, ENTAC A TEMPERATURA NA Ty = Rjc. Psw tTc - = + Psw + Psw + Ta - SE JA: Rda = Ta - - Psw- RESUMO DAS CHAVES SEMICONDUTORAS A+ K- D - CONDUÇÃO UNIDIRECIONAL - COMUTAÇÃO E ESPONTANE - NÃO CONTROLADO -REAL At 6 K- SCR CONDUÇÃO UNIDIRECIONAL - DISPARO CONTROLADO POR CORRENTE - COMUTAGÃO ESPONTÂNEO VBO T, T2 DIAC - - NAC CONTROLADO VBOTRIAC G - - DISPARO CONTROLADO POR CORRENTE - COMUTAGÃO +A K- GTD G - CONDUÇÃO - COMUTAGÃO (DISPARO E BLOQUEiO) CONTROLADOS POR TBJ -D CONDUÇÃO DE TENSÃO UNIDIRECIONAL (DISPARO E POR CORRENTE DE CORRENTE JB2 JB,MOSFET E TENSAC E CORRENTE COMUTAGÃO E CONTROLADOS POR TENSAO DE CORRENTE CONTROLADO POR TENSÃO ESCOLMA DE SEMICONDUTORA 1. QUAL SENTIDO DE CONDUÇÃO? 2. EM QUE PRECISA SE GURAR TENSÃO ? 3. QUAL TIPO DE Ex: No DESEJADO ABRIR PARA DESCONECTAR Vs DA FONTE DE CORRENTE. ISSO REQUER QUE S2 FECME PARA HAJA CAMINNO ALTERNATIVO PARA A CORRENTE. DECORRIDO UM TEMPO E S2 DEVE P/ À INICIAL, DETERMINE Tipe DE PARA CADA CHAVE, A CORRENTE, A E A DE CHAVEAMENTO EM CADA CHAVE. + S2CONDIGÃO 01: FECHADO; ABERTO S, + Vs, - CONDUZ No SENTIDO DE + 24V S2 2A - S2 com S1: S2 02: ABERTO ; S2 FECHADO i, - SEGURA TENSÃO NO + - at SENTIDE 2A + 24V S2 Vs2 - S2 CONDUZ NO SENTIDE NEGATIVE (- PARA +) ESBOGO DE TEMOS QUE ATENDEM Ao REQUISITE (COMPARAR CURVAS IDEAIS): - MOSFET -D PELA PG OPERAÇÃO 200KHZ É 0 MAIS ADEAUADO - - IGBT OLHANDO DE S2, NENHUMA CHAVE SE APLICA, MAS SE A ESCOLHIDA - NA 01 SEGURA CURVA NEGATIVA - NA 02 SENTIDE