Lista 2 Eletrônica Analógica

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1. Quantas junções PN existem em um transistor? 
a) 1 
b) 2 
c) 3 
d) 4 
Um transistor bipolar possui duas junções PN. Em um transistor, essas junções 
são formadas entre a região do emissor e a base, e entre a região do coletor e a 
base. Os transistores podem ser construídos com dois arranjos: NPN (onde duas 
regiões N são separadas por uma região P) e PNP (onde duas regiões P são 
separadas por uma região N). Em ambos os tipos de transistores, as duas 
junções PN são essenciais para o seu funcionamento como amplificador ou 
interruptor. 
2. Num transistor npn, os portadores majoritários no emissor são? 
a) Elétrons livres 
b) Lacunas 
c) Nenhuma das respostas acima 
d) As duas respostas 
Em um transistor NPN, os portadores majoritários no emissor são elétrons. Isso 
ocorre porque o emissor em um transistor NPN é feito de material semicondutor 
tipo n, que possui uma concentração muito maior de elétrons livres do que 
lacunas (buracos). 
3. A barreira de potencial de cada camada de depleção de silício é? 
a) 0 
b) 0,3 V 
c) 0,7 V 
d) 1 V 
A barreira de potencial de uma camada de depleção em um diodo de silício 
é tipicamente de aproximadamente 0,7 volts. Essa tensão, também chamada de 
tensão de limiar ou potencial de barreira, representa a diferença de potencial que 
impede o fluxo de corrente através do diodo na ausência de polarização direta. 
4. o diodo emissor em geral: 
a) É diretamente polarizado. 
b) É reversamente polarizado. 
c) É não condutor. 
d) Opera na região de ruptura. 
Diodos emissores de luz (LEDs) funcionam corretamente quando polarizados 
diretamente, ou seja, quando o terminal positivo da fonte de energia é conectado 
ao ânodo e o terminal negativo ao cátodo. 
5. Para uma operação normal do transistor o diodo coletor deve? 
a) Ser diretamente polarizado 
b) Ser reversamente polarizado 
c) Ser não condutor 
d) Operar na região de ruptura 
Para que um transistor bipolar funcione corretamente como amplificador, o diodo 
coletor (junção coletor-base) deve ser polarizado inversamente. Isso significa 
que o terminal do coletor deve ter uma tensão mais alta que o terminal da base. 
6. A base de um transistor npn é estreita e 
a) Fortemente dopada 
b) Levemente dopada 
c) Metálica 
d) Dopada com um material 
A base de um transistor NPN é estreita e levemente dopada. Essa característica 
permite que a corrente de base controle a corrente entre o coletor e o emissor. A 
espessura reduzida da base e sua dopagem leve fazem com que a maioria dos 
elétrons injetados do emissor atravesse a base em direção ao coletor, em vez de 
se recombinar com lacunas na base. 
7. A maioria dos elétrons na base de um transistor npn circula: 
a) Saindo do terminal externo da base 
b) Entrando pelo coletor 
c) Entrando pelo emissor 
d) Entrando pela fonte de tensão da base 
A maioria dos elétrons em um transistor NPN circula entrando pelo 
emissor. Embora uma pequena corrente de base seja necessária para iniciar o 
processo, a maioria dos elétrons flui do emissor para o coletor, com a base 
atuando como controle. 
8. O beta de um transmissor é a razão da? 
a) Corrente do coletor para a corrente do emissor 
b) Corrente do coletor para a corrente da base 
c) Corrente da base para a corrente do coletor 
d) Corrente do emissor para a corrente do coletor 
O beta (β) de um transistor, também conhecido como ganho de corrente, é 
definido como a razão entre a corrente do coletor (Ic) e a corrente da base 
(Ib). Matematicamente, isso é expresso como: β = Ic / Ib. 
9. Aumentando-se a tensão de alimentação do coletor, aumentará? 
a) A corrente da base 
b) A corrente do coletor 
c) A corrente do emissor 
d) Nenhuma das respostas acima 
Aumentando-se a tensão de alimentação do coletor de um transistor, a corrente 
do coletor também aumentará, mantendo-se a corrente da base constante. Isso 
ocorre porque a tensão do coletor afeta a quantidade de corrente que pode fluir 
através do transistor, enquanto a corrente da base controla a quantidade de 
corrente que pode fluir do emissor para o coletor. 
10. O fato de existir muitos elétrons livres na região do emissor de um transistor 
significa que o emissor é 
a) Levemente dopado 
b) Fortemente dopado 
c) Não dopado 
d) Nenhuma das alternativas acima 
A dopagem de um material semicondutor, como o silício em um transistor, refere-
se à adição intencional de impurezas para aumentar sua condutividade 
elétrica. No caso do emissor de um transistor bipolar (NPN), a alta concentração 
de elétrons livres (portadores majoritários) é obtida por meio de uma dopagem 
mais intensa em comparação com as outras regiões do transistor (base e 
coletor). 
11. Em um transistor pnp, os portadores majoritários no emissor são? 
a) Elétrons livres 
b) Lacunas 
c) Nenhum desses 
d) As duas primeiras respostas 
Em um transistor PNP, a região do emissor é feita de material tipo P, o que 
significa que a maioria dos portadores de carga são lacunas. 
12. Qual é o fato mais importante sobre a corrente do coletor? 
a) Ela é medida em miliampere 
b) Ela é igual a corrente da base dividida pelo ganho de corrente 
c) Ela baixa 
d) Ela é aproximadamente igual a correte do emissor 
A corrente do coletor é aproximadamente igual à corrente do emissor. A corrente 
do coletor é a corrente que flui através do terminal do coletor de um transistor 
bipolar. Ela é um parâmetro importante pois define a capacidade máxima de 
corrente que o transistor pode suportar no coletor. Em muitos casos, a corrente 
do coletor é aproximadamente igual à corrente do emissor, o que significa que a 
maioria dos elétrons que entram no emissor saem pelo coletor. 
13. Se o ganho de corrente for de 100 e a corrente do coletor for de 10ma, a 
corrente da base será? 
a) 10 μA 
b) 100 μA 
c) 1A 
d) 10ª 
Calcular a corrente base usando a fórmula Ib = Ic / hfe, onde hfe é o ganho de 
corrente. 
Ib = 10mA / 100 = 0,1mA = 100μA. 
 
14. A tensão base-emissor geralmente é 
a) Menor que a tensão de alimentação da base 
b) Igual a tensão de alimentação da base 
c) Maior que a alimentação de tensão da base 
d) Não podemos responder 
 
A tensão base-emissor (VBE) de um transistor bipolar (BJT) em condução 
(região ativa) é geralmente de: 
• ≈ 0,6 V a 0,7 V para transistores de silício 
• ≈ 0,2 V a 0,3 V para transistores de germânio (menos comuns hoje) 
Isso significa que VBE é menor que a tensão total fornecida à base (VBB), pois 
essa tensão sofre uma queda ao passar pelo diodo base-emissor. 
 
15. A tensão coletor-emissor geralmente é 
a) Menor que a tensão de alimentação do coletor 
b) Igual a tensão de alimentação do coletor 
c) Maior que a tensão de alimentação do coletor 
d) Não podemos responder 
 
A tensão coletor-emissor (VCE) de um transistor em região ativa normalmente é 
menor do que a tensão de alimentação aplicada ao coletor (geralmente chamada 
de VCC), porque parte dessa tensão é consumida na queda de potencial através 
da resistência de coletor e na própria junção coletor-emissor. 
Por exemplo, em um circuito comum: 
• VCC = 12 V 
• Após polarização correta, VCE pode ficar entre 0,2 V a 10 V, dependendo 
da corrente de coletor e da resistência. 
 
16. A potência dissipada por um transistor é aproximadamente igual a corrente 
do coletor multiplicada pela 
a) Tensão base-emissor 
b) Tensão coletor-emissor 
c) Tensão de alimentação da base 
d) 0,7V 
 
A potência dissipada por um transistor (PD) é dada por: 
PD≈VCE×IC 
Ou seja, a potência dissipada é aproximadamente igual à corrente do coletor 
multiplicada pela tensão coletor-emissor. 
Essa dissipação ocorre principalmente na forma de calor, e deve ser considerada 
no dimensionamento térmico do componente. 
 
17. Um transistor age como um diodo e uma 
a) Fonte de tensão 
b) Fonte de corrente 
c) Resistência 
d) Fonte de alimentação 
O transistor bipolar de junção (BJT), quando operando na região ativa, funciona 
como: 
• Um diodo entre basee emissor (com queda de ~0,6 a 0,7 V), 
• E como uma fonte de corrente controlada por corrente entre coletor e 
emissor. 
Ou seja, a corrente do coletor (IC) é proporcional à corrente da base (IB), 
multiplicada pelo ganho β (beta): 
IC= β⋅IB 
Assim, o transistor age como uma fonte de corrente controlada por corrente. 
 
18. Na região ativa, a corrente do coletor não varia significativamente com 
a) A tensão de alimentação da base 
b) A corrente da base 
c) O ganho de corrente 
d) Resistência do coletor 
 
Na região ativa do transistor BJT, a corrente do coletor (IC) é principalmente 
determinada pela corrente da base (IB) e pelo ganho de corrente (β): 
IC=β⋅IB 
Nesse modo de operação, a resistência do coletor (RC) influencia a tensão 
coletor-emissor (VCE), mas não altera significativamente a corrente do coletor, 
desde que o transistor permaneça na região ativa e não entre em saturação. 
 
19. A tensão base-emissor para a segunda aproximação é de 
a) 0 
b) 0,3V 
c) 0,7V 
d) 1V 
Na segunda aproximação para análise de transistores bipolares de junção (BJT) 
de silício, a tensão base-emissor (VBE) é considerada constante: 
VBE≈0,7 V 
Essa aproximação é uma forma mais realista que a primeira (que considera 
VBE= 0), e é amplamente utilizada em análises básicas de polarização e 
funcionamento. 
20. Se o resistor da base estiver aberto, qual será a corrente no coletor? 
a) 0 
b) 1mA 
c) 2mA 
d) 10Ma 
 
Se o resistor da base estiver aberto, isso significa que nenhuma corrente poderá 
circular pela base do transistor (IB = 0). Como a corrente do coletor depende 
diretamente da corrente da base (na região ativa), teremos: 
IC=β⋅IB=β⋅0=0 
Portanto, o transistor não conduz, e a corrente no coletor será zero. 
21. Não tem essa questão 
22. O ganho de corrente de um transistor é definido como a razão da corrente do 
coletor pela 
a) Corrente da base 
b) Corrente do emissor 
c) Corrente da fonte 
d) Corrente do coletor 
O ganho de corrente de um transistor bipolar (BJT), também chamado de β (beta) 
ou hFE, é definido como: 
β=IC/IB 
Onde: 
• IC = corrente do coletor 
• IB = corrente da base 
Esse ganho indica quantas vezes a corrente de base é amplificada na saída 
(coletor). Por exemplo, se β = 100, uma corrente de base de 10 μA gera uma 
corrente de coletor de 1 mA. 
23. Não tem essa questão 
24. Quando a corrente do coletor aumenta, o ganho da corrente 
a) Diminui 
b) Permanece o mesmo 
c) Aumenta 
d) Nenhuma das respostas acima 
Embora o ganho de corrente (β) de um transistor seja tratado como constante 
em análises básicas, na prática ele varia com a corrente do coletor e outros 
fatores como temperatura e tensão. 
Conforme a corrente do coletor (IC) aumenta, o β tende a diminuir 
levemente devido a efeitos internos do transistor, como: 
• Saturação de portadores, 
• Perdas por recombinação, 
• Aquecimento do dispositivo. 
Esse comportamento é documentado em datasheets e curvas de ganho real dos 
transistores. 
25. Quando a temperatura aumenta, o ganho de corrente 
a) Diminui 
b) Permanece o mesmo 
c) Aumenta 
d) Pode ocorrer qualquer uma dessas situações 
Quando a temperatura aumenta, o ganho de corrente (β) de um transistor bipolar 
(BJT) tende a aumentar. Isso acontece porque: 
• A mobilidade dos portadores de carga aumenta com a temperatura; 
• A barreira de potencial da junção base-emissor diminui, facilitando a 
condução; 
• Como resultado, para uma mesma corrente de base (IB), a corrente do 
coletor (IC) aumenta, elevando o ganho β. 
No entanto, isso também pode levar a efeitos indesejáveis como fuga térmica, 
por isso o controle térmico é importante em projetos com BJTs. 
26. Quando o resistor da base diminui, a tensão do coletor provavelmente 
a) Diminuirá 
b) Permanecerá a mesma 
c) Aumentará 
d) Todas as respostas acima 
Quando o resistor da base (RB) diminui, ele permite maior corrente de base (IB), 
o que, em um transistor bipolar (BJT) na região ativa, gera um aumento da 
corrente de coletor (IC), pois: 
IC=β⋅IB 
Com maior IC, a queda de tensão no resistor de coletor (RC) aumenta, o que faz 
a tensão no coletor (VC) diminuir: 
VC=VCC−(RC⋅IC) 
 
 
 
 
 
 
b)