Modelo de Relatorio Tecnico (1)

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CENTRO UNIVERSITÁRIO INTERNACIONAL UNINTER 
ESCOLA SUPERIOR POLITÉCNICA 
BACHARELADO EM ENGENHARIA DA COMPUTAÇÃO 
DISCIPLINA DE PBL – FUNDAMENTOS DA ENGENHARIA 
 
 
 
 
 
 
 
 TRANSISTORES E SUA APLICAÇÃO NA MINIATURIZAÇÃO ELE-
TRÔNICA: BJTS VS MOSFETS 
 
 
 
 
 
 
 
 
KAIO JOSÉ RODRIGUES DO ESPIRITO SANTO 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
CURITIBA - PR 
2024 
 
 
 
 
SUMÁRIO 
 
 
1 INTRODUCAO ............................................................................................................................................. 1 
1.1 FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA.............................................................................................................. 1 
1.2 OBJETIVOS ............................................................................................................................................... 3 
1.2.1 Objetivo geral ................................................................................................................................... 3 
1.2.2 Objetivos específicos ......................................................................................................................... 3 
2 DESENVOLVIMENTO ............................................................................................................................... 3 
2.1 TAMANHO DO TRABALHO ............................................................................................................................ 3 
2.2 ESPECIFICAÇÕES GERAIS PARA A FORMATAÇÃO DO TEXTO ......................................................................... 3 
2.3 EQUAÇÕES ................................................................................................................................................... 3 
3 CONCLUSÕES ............................................................................................................................................. 3 
4 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS ........................................................................................................ 4 
 
 
 
 
1 
 
1 INTRODUÇÃO 
Os avanços tecnológicos que moldam o mundo moderno são fortemente impulsionados pela 
microeletrônica, área que se dedica à miniaturização de componentes e circuitos eletrônicos. 
Nesse contexto, os transistores desempenham um papel essencial, sendo responsáveis pela ope-
ração de dispositivos que usamos diariamente, como processadores, smartphones e outros equi-
pamentos eletrônicos. 
A invenção do transistor por William Shockley, em 1951, marcou o início de uma revolução na 
eletrônica, permitindo o controle e a amplificação de sinais elétricos de forma eficiente. Com o 
passar do tempo, os transistores evoluíram significativamente, possibilitando a criação de cir-
cuitos integrados que hoje integram milhões de transistores em um único chip de silício. 
Este trabalho propõe uma análise dos transistores bipolares de junção (BJTs) e dos transistores 
de efeito de campo (MOSFETs), abordando seu funcionamento, os materiais usados em sua 
fabricação e suas principais aplicações na microeletrônica. Além de destacar sua importância 
tecnológica, busca-se compreender como esses dispositivos continuam a transformar a ciência 
e a sociedade. 
 
 
 
1.1 FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA 
Transistores Bipolares de Junção (BJTs) 
Os BJTs são dispositivos semicondutores compostos por três camadas: emissor, base e coletor. 
Seu funcionamento baseia-se no controle da corrente elétrica por meio da tensão aplicada na 
base, o que os torna ideais para amplificação e chaveamento de sinais. A condução ocorre de-
vido à interação entre elétrons e lacunas nos materiais semicondutores, que são dopados para 
ajustar suas propriedades elétricas (MALVINO, 2011). 
 
 
 
 
 
 
Transistores MOSFET 
Os MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) utilizam um campo elé-
trico para controlar o fluxo de corrente em um canal semicondutor. Sua estrutura inclui uma 
camada de óxido isolante no gate, o que melhora a eficiência energética e reduz o consumo de 
energia. Graças a essas características, os MOSFETs são amplamente usados em dispositivos 
de baixa potência e alta frequência, como smartphones e tablets. 
 
 
 
Materiais Utilizados 
Os transistores são fabricados com materiais semicondutores que variam de acordo com suas 
aplicações: 
• Silício (Si): Amplamente utilizado por sua abundância e propriedades elétricas ideais. 
• Germânio (Ge): Material pioneiro nos primeiros transistores devido à sua alta mobili-
dade de portadores. 
• Arseneto de gálio (GaAs): Usado em aplicações de alta frequência, como comunica-
ções sem fio. 
Aplicações dos Transistores 
Os transistores são onipresentes na tecnologia moderna: 
• Amplificação de sinais: Usados em rádios, sistemas de som e televisores. 
• Circuitos digitais: Base dos processadores e dispositivos móveis. 
• Dispositivos de potência: Controlam grandes correntes em motores e fontes de alimen-
tação. 
• Microeletrônica: Componentes essenciais em chips e processadores que integram bi-
lhões de transistores. 
 
 
 
 
 
1.2 OBJETIVOS 
Os objetivos deste trabalho visam compreender e explorar os aspectos fundamentais e 
aplicados dos transistores, com base em seu funcionamento, características e relevância tecno-
lógica. São apresentados como metas verificáveis ao longo do desenvolvimento do estudo, es-
truturados da seguinte forma: 
1.2.1 Objetivo geral 
Analisar o funcionamento dos transistores e suas aplicações práticas, destacando sua 
relevância para a microeletrônica e o impacto nas tecnologias contemporâneas. 
1.2.2 Objetivos específicos 
• Investigar o princípio de operação dos transistores bipolares de junção (BJTs), 
destacando suas características estruturais e funcionais. 
• Compreender o funcionamento dos transistores de efeito de campo (MOSFETs), 
com foco em sua eficiência e aplicações práticas. 
• Identificar e caracterizar os materiais utilizados na fabricação de transistores, ex-
plorando as propriedades semicondutoras que os tornam adequados para diferentes apli-
cações. 
• Apresentar as principais aplicações dos transistores, evidenciando sua importância 
no desenvolvimento de circuitos integrados, dispositivos digitais e sistemas de potência. 
 
2 CONCLUSÕES 
 
Os transistores são pilares da eletrônica moderna, permitindo o desenvolvimento de tecnologias 
cada vez mais compactas, eficientes e indispensáveis no dia a dia. Este trabalho demonstrou 
como os BJTs e MOSFETs operam, os materiais envolvidos em sua fabricação e as diversas 
aplicações práticas que tornam esses dispositivos tão relevantes. 
Com os avanços tecnológicos, pesquisas exploram novos materiais, como grafeno e nanotubos 
de carbono, para elevar ainda mais a eficiência, reduzindo o tamanho e ampliando as possibili-
dades dos transistores no futuro. Esse cenário reforça a importância desses dispositivos para a 
evolução da ciência e da tecnologia, com impactos positivos em diversos setores. 
 
 
 
 
 
 
3 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS 
MALVINO, A.; BATES, D. J. Eletrônica Vol. 1. 7ª ed. São Paulo: AMGH, 2011. 
AZEVEDO, C. B. Metodologia científica ao alcance de todos. 2ª ed. Barueri: Manole, 2009. 
transistores bipolares de junção (bjts) - Pesquisar Imagens 
Transistores MOSFET - Pesquisar Imagens 
Transístor – Wikipédia, a enciclopédia livre 
Você pesquisou por Transistor | Eletricidade - Magnetismo 
 
https://www.bing.com/images/search?view=detailV2&ccid=i41YYzwS&id=A9EFDD4AF5833830B6CE6A78356B81780BE0EBE8&thid=OIP.i41YYzwSJKi0KJW0dyrgHQHaEK&mediaurl=https%3a%2f%2fi.ytimg.com%2fvi%2frf-GIy7yjt8%2fmaxresdefault.jpg&cdnurl=https%3a%2f%2fth.bing.com%2fth%2fid%2fR.8b8d58633c1224a8b42895b4772ae01d%3frik%3d6OvgC3iBazV4ag%26pid%3dImgRaw%26r%3d0&exph=720&expw=1280&q=transistores+bipolares+de+jun%c3%a7%c3%a3o+(bjts)&simid=608026117172064718&FORM=IRPRST&ck=8F4892083181905D85FDCDF42B16A07C&selectedIndex=0&itb=0&ajaxhist=0&ajaxserp=0
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https://www.electricity-magnetism.org/?s=Transistor
	1 INTRODUÇÃO
	1.1 FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA
	Transistores Bipolares de Junção (BJTs)
	Transistores MOSFET
	Materiais Utilizados
	Aplicações dos Transistores
	1.2 OBJETIVOS
	1.2.1 Objetivo geral
	1.2.2 Objetivos específicos
	2 CONCLUSÕES
	3 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS