Avaliação II Eletrônica Analógia

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<p>03/10/24, 15:10 Avaliação Individual A+ Alterar modo de visualização Peso da Avaliação 2,00 Prova 88185820 Qtd. de Questões 10 Acertos/Erros 10/0 Nota 10,00 1 O nome MOSFET significa transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor. Nos Transistores de Efeito de Campo Semicondutor de Óxido Metálico, MOSFET, é como um transistor FET, porém terminal Porta isolado demais por uma fina camada de óxido de silício, que faz com que os transistores MOSFET tenham uma alta impedância (resistência) na entrada. Os transistores MOSFET são largamente utilizados em fontes de alimentação como chaveadores, pois sua alta resistência na entrada e seu baixo consumo facilitam tal operação. Sobre exposto, analise as sentenças a seguir: I. A curva característica é semelhante, porém refletida em relação ao eixo IC. II. A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do sinal correto de IJ e VD. III. A mesma situação descrita para MOSFET tipo depleção, onde todos os materiais, tensão e corrente são invertidos é observada quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p. IV. A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para de canal n. ou seja, existe um substrato do tipo n e um canal do tipo p, permanecendo com os mesmos terminais, porém as polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos. É correto que se afirma em: A I e II, apenas. B I, II e III, apenas. C III e IV, apenas. D I, apenas. E II, III e IV, apenas. 2 Foi utilizado um MOSFET de efeito de campo para fazer devidos ajustes na corrente de carga aplicada a um circuito fictício, e durante a execução dúvidas surgiram entre os projetistas. O projetista A estava convicto de seu entendimento sobre componente em questão, enquanto projetista auxiliar B indagava a respeito da aplicação da corrente nos terminais do MOSFET e suas "consequências". O projetista A aplicava uma tensão entre os pontos de Gate e Source e aterrava ambos, enquanto B julgava inócua essa ação para surgimento do fluxo de elétrons livres pelo canal induzido n, pois de acordo com B, as regiões de dreno e source estavam dopadas com elemento Boro (B). Sobre exposto, analise as sentenças a seguir: I. A proposição do projetista A origina a formação da região de depleção. II. A indagação do projetista B é válida no que diz respeito ao aterramento do circuito. II. A segunda parte da contribuição do projetista B é passível de questionamento de acordo com a dopagem das pastilhas. É correto que se afirma em: about:blank 1/6</p><p>03/10/24, 15:10 Avaliação Individual A III, apenas. B II e III, apenas. C I e II, apenas. D I, apenas. E I, 3 O JFET ou junção FET é um transistor de efeito de campo que usa materiais portadores de carga colocados perpendicularmente e em contato direto com seu canal para que se possa controlar a passagem de corrente elétrica. Em dispositivos JFET canal N, a corrente de dreno (Id) é controlada aplicando-se uma tensão reversa em sua porta-fonte (GATE-SOURCE). Deste modo, uma barreira é formada na camada tipo P. expandindo-a e estreitando a passagem da corrente no canal N. Conforme a capacidade do assunto exposto, analise as sentenças a seguir: I. Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G gate). II. Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (D drain). III. A construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo n, que forma canal entre as camadas imersas de material do tipo p. IV. A parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão do dreno (D drain) e na parte inferior do mesmo através de outro contato temos a fonte (S source). É correto que se afirma em: A III e IV, apenas. B I, II e III, apenas. C II, apenas. D I, III e IV, apenas. III, apenas. 4 O JFET é um dispositivo controlado por tensão de entrada que controla uma corrente de saída. O nome "efeito de campo" do JFET vem das zonas de depleção que rodeiam cada zona p e onde os elétrons livres da zona n se recombinam com as lacunas da zona p. Partindo do trecho exposto, analise as sentenças a seguir: I. O FET tem portadores majoritários mas não tem portadores minoritários. II. A construção de um MOSFET de canal p é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo pn, que forma canal entre as camadas imersas de material do tipo np. III. A parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão da porta (G gate) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos dreno (D drain). IV. A fonte de pressão de água pode ser comparada com à tensão aplicada do dreno para a fonte e estabelecer um fluxo de água (elétrons no JFET) a partir da torneira (fonte no JFET). A "porta" através da aplicação de um sinal (tensão) controla fluxo de água (carga) para dreno. É correto que se afirma em: A about:blank 2/6</p><p>03/10/24, 15:10 Avaliação Individual IV, apenas. B I, II e III, apenas. C II, apenas. D II, III e IV, apenas. E II e III, apenas. 5 O campo da tecnologia permitiu significantes avanços em todas as áreas conhecidas, e para que isso fosse possível foi preciso aprimorar a eficiência da manipulação de todos os tipos de entrada de energia, logo, percebe-se uma diminuição de insumos para garantir mesmo resultado. Com isso, temos os de efeito de campo, os quais permitem elevado aproveitamento da energia aplicada em seus circuitos, dando horizontes às minis e micro tecnologias. Fonte: adaptado de: MALVINO, A. BATES, D. Eletrônica. AMGH Editora, 2016. Com base no texto e em seus conhecimentos, analise as afirmativas a seguir: I. O elevado valor negativo de tensão no gate-source torna maior a corrente no dreno e source. II. A resistência de entrada na aplicação da polarização reversa tendo ao infinito comparada com a corrente de entrada. III. O funcionamento de um FET é relacionado à passagem dos elétrons pelo seu interior, e tendo contato com as áreas NPN, formando a camada de IV. A diferença de aplicação de transistores bipolares e FETs está no controle minucioso da corrente de saída adicionado a ganhos de entrada pelo primeiro, e sinais de baixa amplitude à alta impedância pelo segundo. É correto que se afirma em: A I e II, apenas. B II, III e IV, apenas. C III e IV, apenas. D I, apenas. E I, II, III e IV. 6 São muitas as aplicações onde os transistores são usados, mas basicamente podemos citar que eles podem trabalhar como amplificadores, osciladores, retificadores, comutadores e interruptores. As utilizações mais comuns dos transistores são: transistor operando como amplificador nesse tipo de operação, transistor é capaz de amplificar um sinal elétrico de baixa amplitude; é muito utilizado em sistemas de telecomunicações e sistemas de som onde os sinais necessitam ser amplificados para utilização em algum outro equipamento; transistor operando como chave nesse tipo de operação, transistor consegue ligar e desligar cargas de maior potência apenas recebendo um sinal de baixa amplitude; como exemplo, podemos citar os transistores utilizados em inversores de frequência, que conseguem fazer chaveamento (ligar e desligar rapidamente) e fazer acionamento de um motor utilizando PWM (modulação por largura de pulso). Conforme assunto do texto anterior, analise as sentenças a seguir: about:blank 3/6</p><p>03/10/24, 15:10 Avaliação Individual I. O JFET é um dispositivo de três terminais, de modo que um deles controla a corrente entre os outros II. O MOSFET é um dispositivo de oito terminais, de modo que um deles controla a corrente e os demais controlam a tensão. III. O MESFET é um dispositivo de cinco terminais, de modo que três deles controlam a corrente e os outros dois controlam a tensão. IV. Os transistores FET por exemplo: transistor de efeito de campo de junção: JFET; transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor MOSFET e transistor de efeito de campo metal-semicondutor: MESFET. É correto que se afirma em: A II, III e IV, apenas. B II, apenas. I e IV, apenas. D II e III, apenas. E I, II e III, apenas. 7 [Laboratório Virtual Circuito com Lógica Booleana] O circuito integrado (CI) SN74HC32N é composto por quatro portas lógicas OR de duas entradas cada. Esse CI é projetado para operar em sistemas digitais de alta velocidade. Como apresenta roteiro do laboratório, há a opção de alterar circuito. Ao selecionar circuito que possui quatro portas OR (OU), que seria circuito integrado é possível verificar esquema elétrico interno e as ligações de chave e LED. Considere "A" e B" como variáveis de entrada e "S" como variável de saída. Sobre a expressão booleana do circuito utilizado com CI assinale a alternativa CORRETA: A B C D 8 [Laboratório Virtual Circuito com Lógica Booleana] Através da realização da prática, ao selecionar circuito integrado com portas AND (SN 74HC08N) e realizar a ligação dos cabos, é possível verificar comportamento do circuito ao ativar e desativar as chaves presentes nele. Dessa forma, LED só acenderá se as chaves estiverem de acordo com circuito integrado. Para auxiliar no experimento, utilize roteiro do laboratório. Com relação ao momento em que LED é aceso, assinale a alternativa CORRETA: A Como duas portas AND do circuito integrado estão sendo usadas, LED só irá acender quando a chave 0 estiver fechada e a chave 1 estiver aberta. about:blank 4/6</p><p>03/10/24, 15:10 Avaliação Individual B Como duas portas AND do circuito integrado estão sendo usadas, LED só irá acender quando as duas chaves estiverem fechadas. Como apenas uma porta AND do circuito integrado está sendo usada, LED só irá acender quando as duas chaves estiverem fechadas. D Como duas portas AND do circuito integrado estão sendo usadas, LED só irá acender quando as duas chaves estiverem fechadas. 9 O transistor NPN possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com cristal P (positivo) para as costas da outra junção, formando, então, transistor de junção bipolar (TJB) NPN. Esse é acionado com carga positiva em relação ao emissor. Com base no exposto, analise as sentenças a seguir: I. A aplicação de transistores não se limita somente à amplificação de sinais, realizando um projeto apropriado, podem ser utilizados como chaves de computadores e aplicações de controle. II. O projeto apropriado para transistor atuar como um PNP exige que ponto de operação alterne do ponto de corte ao ponto de saturação sobre a mesma reta tangente do coletor e do emissor. III. O transistor PNP possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com cristal P (positivo) para as costas da outra junção, formando, então, transistor de junção bipolar (TJB) PNP. Esse é acionado com carga positiva em relação ao emissor. IV. Os transistores PNP operam com valores positivo/ negativo/ positivo, transistor PNP possui duas junções PN, acomodadas uma voltada para outra, os cristais negativos ficam um em contato com outro, sendo assim, temos a formação do transistor de junção bipolar (TJB) PNP. É correto que se afirma em: A I, II e III, apenas. B II e III, apenas. C II, apenas. D II, III e IV, apenas. E I e IV, apenas. 10 [Laboratório Virtual Circuito com Lógica Booleana] Um dos circuitos integrados (CIs) utilizados no experimento era SN 74HC08N, qual é composto por quatro portas AND de duas entradas cada. Ao projetar um circuito com portas lógicas, devemos verificar se circuito integrado possui todas as portas lógicas necessárias ou se será necessário inserir um outro CI para atender aos requisitos do projeto. A figura apresenta um circuito lógico que será projetado: about:blank 5/6</p><p>03/10/24, 15:10 Avaliação Individual A AC C B B BC C = AC + BC + ABC C A B ABC C Sobre a utilização do circuito integrado para projeto da figura, assinale a alternativa CORRETA: Não será possível construir o circuito lógico apresentando apenas com CI SN 74HC08N, pois esse componente não é composto por portas lógicas OR (OU) e nem portas NOT (Inversora). B Serão necessários dois CIs SN 74HC08N para construir circuito lógico apresentado, visto que as portas lógicas OR (OU) e nem portas NOT (Inversora) estarão presentes no segundo CI. C Será possível construir circuito lógico apresentando apenas com CI SN 74HC08N, pois esse componente também possui portas AND de três entradas. D Será possível construir circuito lógico apresentado apenas com CI SN 74HC08N, pois esse componente possui todas as portas lógicas do circuito. Imprimir about:blank 6/6</p>