Dispositivos de Memória

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<p>DESCRIÇÃO</p><p>As características essenciais para a definição do comportamento das memórias e os principais</p><p>tipos de memória utilizados em sistemas digitais.</p><p>PROPÓSITO</p><p>Reconhecer os principais tipos de memória e suas características, bem como sua importância</p><p>para compreensão dos sistemas digitais modernos.</p><p>OBJETIVOS</p><p>MÓDULO 1</p><p>Identificar a interface básica de uma memória e as principais classificações</p><p>MÓDULO 2</p><p>Listar os principais tipos de memória e suas características</p><p>VÍDEO INTRODUTÓRIO</p><p>Bem-vindo ao estudo dos dispositivos de memória.</p><p>MÓDULO 1</p><p> Identificar a interface básica de uma memória e as principais classificações</p><p>CONCEITOS BÁSICOS</p><p>Para armazenar informação, há dois fatores importantes: o primeiro obviamente é a informação</p><p>a ser guardada; o segundo, tão importante quanto o primeiro, é o local onde a informação está</p><p>armazenada. Não adianta guardar um objeto e depois não saber onde ele está! Com o</p><p>agravante de que em sistemas digitais não temos como “procurar”.</p><p>O “LOCAL” ONDE UMA INFORMAÇÃO É GRAVADA É</p><p>CHAMADO DE ENDEREÇO, E EM CADA ENDEREÇO FICA</p><p>GUARDADO UM AGRUPAMENTO DE BITS (PALAVRA).</p><p>Existem duas formas usuais de se especificar a quantidade de informação que uma memória</p><p>pode armazenar:</p><p>Quantidade de localidades x tamanho da palavra em bits</p><p>Quantidade total de bits (ou bytes) armazenada</p><p> EXEMPLO</p><p>Uma memória 128x16 possui 128 localidades, e em cada localidade são guardados 2 bytes.</p><p>Assim, a capacidade dessa memória é de 2048 bits ou 256 bytes.</p><p>Um mapeamento dela pode ser visto na tabela abaixo:</p><p>Endereço Dado</p><p>binário hexadecimal decimal</p><p>111 111b 7Fh 127 1100 0011</p><p>111 1110b 7Eh 126 0000 0000</p><p>111 1101b 7Dh 125 1100 0011</p><p>... ...</p><p>000 0001b 01h 1 0101 1111</p><p>000 0000b 00h 0 0111 1101</p><p> Atenção! Para visualizaçãocompleta da tabela utilize a rolagem horizontal</p><p> Tabela 1 - Mapeamento de uma memória 128x16</p><p>A organização em ordem crescente ou decrescente de endereços é uma escolha do usuário.</p><p>Logicamente, os dados mostrados são apenas um exemplo. Devido a forma de construção dos</p><p>endereços, a quantidade de localidades de uma memória é sempre uma potência de 2.</p><p> ATENÇÃO</p><p>Cada endereço é designado por um número binário.</p><p>Como as memórias, em geral, possuem uma grande quantidade de localidades, é usual</p><p>escrever os endereços utilizando números hexadecimais. Assim, reduzimos a quantidade de</p><p>dígitos a ser escritos em relação à notação, utilizando números binários e, caso necessário,</p><p>podemos realizar a conversão direta entre decimal e binário, na qual cada bit hexadecimal</p><p>corresponde a 4 bits binários.</p><p>Dígito hexadecimal Sequência binária</p><p>0 0000</p><p>1 0001</p><p>2 0010</p><p>3 0011</p><p>4 0100</p><p>5 0101</p><p>6 0110</p><p>7 0111</p><p>8 1000</p><p>9 1001</p><p>A 1010</p><p>B 1011</p><p>C 1100</p><p>D 1101</p><p>E 1110</p><p>F 1111</p><p> Atenção! Para visualizaçãocompleta da tabela utilize a rolagem horizontal</p><p> Conversão direta entre hexadecimal e binário</p><p>DEVIDO A MEMÓRIA SEMPRE UTILIZAR POTÊNCIAS DE 2, OS</p><p>MULTIPLICADORES KILO, MEGA, GIGA, TERA ETC. SÃO EM</p><p>FUNÇÃO DA BASE 2 E NÃO DA BINÁRIA.</p><p>Assim, 1 kB de endereços não são 1000 endereços, e sim 210 = 1024 endereços. A seguir, veja</p><p>os multiplicadores mais usuais:</p><p>Multiplicador Quantidade correspondente</p><p>Kilo (kB) 210</p><p>Mega (M) 220</p><p>Giga (G) 230</p><p>Tera (T) 240</p><p> Atenção! Para visualizaçãocompleta da tabela utilize a rolagem horizontal</p><p> Tabela 2 - Multiplicadores no contexto de sistemas binário</p><p>Note que, com a evolução da tecnologia, surgem novos dispositivos com capacidade de</p><p>armazenamento cada vez maior, popularizando o uso de multiplicadores maiores. Atualmente,</p><p>é comum falarmos de discos rígidos externos da ordem de alguns terabytes e já se pesquisa</p><p>tecnologias para desenvolver hds da ordem de petabytes (250).</p><p>UM PARÂMETRO TÃO IMPORTANTE QUANTO À CAPACIDADE</p><p>DE ARMAZENAMENTO DE UMA MEMÓRIA É O TEMPO DE</p><p>ACESSO.</p><p>O tempo de acesso de leitura é o tempo que a memória precisa para, após receber um</p><p>endereço, disponibilizar a saída. Se a memória permitir a escrita, então ela também possui um</p><p>tempo de acesso de escrita; o tempo necessário para que, dado um endereço e uma entrada</p><p>de dados, a memória possa gravar esse dado e ficar novamente disponível para uma nova</p><p>escrita ou leitura.</p><p> SAIBA MAIS</p><p>Muitas vezes, esse parâmetro é chamado de velocidade de acesso ou taxa de transferência</p><p>de dados, e indicado pela quantidade de leituras/escritas que a memória pode executar em 1</p><p>segundo.</p><p>Outros fatores, menos lembrados, mas também importantes, são:</p><p>DENSIDADE</p><p>Quantidade de informação (bits) que podemos armazenar por unidade de área.</p><p>CONSUMO ENERGÉTICO</p><p>A energia que a memória consome em sua operação; lembrando que circuitos elétricos</p><p>dissipam energia majoritariamente, como o calor, o qual necessita ser dissipado.</p><p>Por último, destacamos um fator muito importante: o custo. Em engenharia, não adianta</p><p>termos a melhor solução técnica se esta é economicamente inviável. Dessa forma, o custo</p><p>sempre será um fator a ser levado em consideração</p><p> VOCÊ SABIA</p><p>Se tratando de memória, geralmente referenciamos o custo com a capacidade, assim temos o</p><p>custo por kilobyte, megabyte etc.</p><p> DICA</p><p>Pesquise sobre o preço dos pentes de memórias RAM do computador para ter uma ideia de</p><p>como consideramos tais características.</p><p>Repare que o valor está diretamente relacionado à sua capacidade (2 GB, 4 GB, 8 GB) e à sua</p><p>frequência (que determina a taxa de acesso). Perceba também que o tipo de memória (DDR3,</p><p>DDR4 etc.) e a capacidade total máxima que pode ser utilizada dependem também da</p><p>compatibilidade com a placa-mãe e o sistema operacional, respectivamente.</p><p>REVISANDO, AS CARACTERÍSTICAS GERAIS DE UMA</p><p>MEMÓRIA SÃO:</p><p>Capacidade</p><p>Tempo de acesso ou velocidade</p><p>Densidade</p><p>Consumo</p><p>Custo</p><p>CALCULANDO A CAPACIDADE DE UMA</p><p>MEMÓRIA</p><p>Veja um exemplo prático no vídeo a seguir:</p><p>CLASSIFICAÇÃO</p><p>Além dos aspectos gerais, as memórias possuem algumas características específicas de</p><p>acordo com sua classificação. As principais são:</p><p>Estrutura de acesso</p><p>Volatilidade</p><p>Suporte à escrita</p><p>Armazenamento</p><p>ESTRUTURA DE ACESSO</p><p>Quanto à estrutura de acesso, as memórias podem ser sequenciais ou aleatórias.</p><p>Em memórias de acesso sequencial, quando se quer acessar um endereço, é necessário</p><p>passar pelas localidades intermediárias entre o endereço atual e o endereço pretendido. Neste</p><p>tipo de memória, o tempo de acesso é variável, pois depende da distância entre o endereço</p><p>atual e o endereço que se deseja acessar.</p><p>Em memórias de acesso aleatório, qualquer endereço pode ser acessado diretamente. Nas</p><p>memórias aleatórias, o tempo de acesso é constante e, em geral, pequeno. Esse tipo de</p><p>memória é tão importante que elas são batizadas com um nome específico — RAM, do inglês</p><p>Random-Access Memory. Se você gosta de computadores, certamente já leu a respeito desse</p><p>tipo de memória, afinal a quantidade de RAM é um requisito mínimo comum para muitos</p><p>programas e jogos de computador, além de ser uma informação importante a respeito das</p><p>placas de vídeo.</p><p>VOLATILIDADE</p><p>A volatilidade se refere à capacidade da memória reter as informações que foram gravadas ao</p><p>ser desligada (cortada a alimentação).</p><p>As memórias voláteis perdem as informações armazenadas quando desligadas. Isso ocorre,</p><p>pois, o elemento responsável por armazenar as informações nesse tipo de memória são, em</p><p>geral, componentes eletroeletrônicos, como flip-flops ou capacitores. Um exemplo de memória</p><p>volátil são as memórias RAM.</p><p>Memórias não voláteis mantém as informações gravadas mesmo quando a energia é</p><p>desligada.</p><p>SUPORTE À ESCRITA</p><p>Existem memórias que permitem a leitura e a escrita, como as RAM (afinal, qual seria a</p><p>utilidade de uma memória volátil que não permitisse a escrita).</p><p>Há também memórias que não podem ser escritas, apenas lidas. Nessas memórias, a</p><p>informação é fixa. Elas vêm gravadas de fábrica ou podem ser gravadas uma única vez e, após</p><p>isso, permitem apenas leituras. Como por exemplo, o DVD-R.</p><p>ARMAZENAMENTO</p><p>Em relação ao tipo de armazenamento, as memórias podem ser estáticas ou dinâmicas.</p><p>Nas memórias estáticas, uma vez inserida</p><p>a informação, ela pode permanecer indefinidamente</p><p>naquela localidade (enquanto a memória estiver energizada), nesse tipo de memória, as</p><p>células são circuitos naturalmente biestáveis, como flip-flops.</p><p>Já nas memórias dinâmicas, as células são pequenos capacitores que, devido a correntes de</p><p>fuga, perdem sua carga, sendo necessário realizar uma operação de repotencialização</p><p>(refresh) periodicamente para que a informação armazenada não seja perdida.</p><p>Durante o período em que o refresh está ocorrendo, a memória fica inacessível para a leitura e</p><p>escrita, fazendo com que memórias dinâmicas sejam mais lentas em relação as estáticas. Por</p><p>outro lado, como um capacitor é um circuito muito mais simples que um flip-flop, as memórias</p><p>dinâmicas possuem uma densidade de integração muito maior e menor consumo energético e,</p><p>consequentemente, baixa geração de calor.</p><p>INTERFACE BÁSICA</p><p>Como você pode imaginar, a interface básica de uma memória consiste em três barramentos: o</p><p>de endereço, o de dados e o de controle, conforme indicado na figura abaixo:</p><p>Fonte: EnsineMe</p><p> Figura 1 - Interface genérica de uma memória</p><p>O barramento de endereço (address bus) passa a localidade a ser acessada.</p><p>Os sinais presentes no barramento de controle (control bus) dependem do tipo de memória</p><p>sendo utilizada, o que será abordado no próximo módulo.</p><p>Por último, o barramento de dados (data bus) é bidirecional, no caso de memórias que</p><p>permitem leitura/escrita, o que foi indicado na Figura 1 com o barramento com setas em ambas</p><p>as extremidades.</p><p>EXEMPLO</p><p>A figura abaixo apresenta o esquemático de uma memória de 16 bits conectada ao barramento</p><p>de endereços de um computador. Determine a faixa de endereços usada pela memória:</p><p>Fonte: EnsineMe</p><p> Memória com 1024 localidades e entrada de habilitação</p><p>SOLUÇÃO</p><p>A memória só ficará habilitada se o sinal de chip select estiver ativado, ou seja . Logo, para</p><p>memória estar operante, precisamos da combinação A12 = 1, A11 = 0 e A10 = 0. Os demais bits</p><p>de endereço são inseridos normalmente na memória.</p><p>O endereço inicial de operação da memória é 1000 0000 0000b, que corresponde à sequência</p><p>necessária para ativar o seguida pelo menor valor que os outros bits de endereço podem</p><p>assumir.</p><p>O endereço final é montado com a sequência necessária para ativar o chip select seguido pelo</p><p>maior valor que pode ser formado com os sinais inseridos na entrada de endereços da</p><p>memória. Logo, o endereço final de operação dessa memória é 1001 1111 1111b.</p><p>Então, a faixa de endereços usada por essa memória é de 1000 0000 0000b a 1001 1111</p><p>1111b, ou, em hexadecimal, 800h a 9FFh.</p><p>ASSOCIAÇÃO DE MEMÓRIAS</p><p>Vamos analisar como associar memórias para gerar o efeito de uma memória de maior</p><p>capacidade. Essa técnica é bastante utilizada; por exemplo, um pente de memória RAM de</p><p>computador possui diversos circuitos integrados de memória e, geralmente, na placa-mãe</p><p>podemos colocar vários pentes de memória RAM para aumentar a capacidade do sistema.</p><p>Fonte: Shutterstock.com</p><p> Figura 2 - Diversos pentes de memória RAM em uma placa-mãe</p><p>Para os exemplos, a seguir, consideraremos uma memória com suporte à escrita de 256x8 com</p><p>dois sinais de controle:</p><p>O habilita o circuito integrado da memória. Se esse sinal estiver em nível baixo, a</p><p>memória processa os comandos de leitura/escrita normalmente, caso contrário, ela ignora</p><p>qualquer comando e deixa as saídas de dados em alta impedância.</p><p>O habilita a escrita se estiver em nível baixo, caso contrário é realizada uma leitura.</p><p>IMPEDÂNCIA</p><p>Impedância elétrica ou simplesmente impedância (quando, em domínio de circuitos ou</p><p>sistemas elétricos, não houver possibilidade de confusão com outras possíveis acepções</p><p>de impedância), é a oposição que um circuito elétrico faz à passagem de corrente elétrica</p><p>quando é submetido a uma tensão.</p><p>Fonte: Wikipédia</p><p> ATENÇÃO</p><p>¯̄¯̄¯CS</p><p>¯̄¯̄¯̄¯WE</p><p>javascript:void(0)</p><p>Os comandos citados fazem parte de um exemplo fictício bastante simplificado. Diferentes</p><p>memórias têm diferentes sinais de comandos. Ao projetar um circuito real, o engenheiro deve</p><p>analisar cuidadosamente as folhas de dados e as instruções dos fabricantes dos componentes</p><p>que for utilizar.</p><p>EXEMPLOS</p><p>EXEMPLO 1</p><p>A partir de duas memórias 256x8, conforme descritas acima, projete uma memória de 256x16</p><p>com os mesmos sinais de controle.</p><p>SOLUÇÃO</p><p>Inicialmente, é necessário definir a quantidade de endereços. Para que tenhamos 256</p><p>localidades, precisamos de 8 bits para endereçamento, pois 256 = 28. A fim de aumentar a</p><p>quantidade de bits em cada localidade, basta conectarmos as entradas de endereços e de</p><p>controle das memórias entre si. Dessa forma, elas sempre executarão os mesmos comandos,</p><p>seja de leitura ou de escrita, simultaneamente e em relação a localidades de mesmo endereço.</p><p>Por fim, basta definir qual memória armazenará os oito dígitos menos significativos dos dados</p><p>(D7 D6 ... D0) e a outra, naturalmente, armazenará os oito mais significativos (D15 D14 ... D8).</p><p>Fonte: EnsineMe</p><p> Figura 3 - Memória 256x16</p><p>EXEMPLO 2</p><p>A partir de duas memórias 256x8, conforme descritas acima, projete uma memória de 512x8</p><p>com os mesmos sinais de controle.</p><p>SOLUÇÃO</p><p>Fonte: EnsineMe</p><p> Figura 4 - Memória 512x8</p><p>Note que, para a memória na parte de cima, é necessário que e A8 = 1 , mas para a</p><p>memória na parte de baixo estar ativa, precisamos que e A8 = 0 . Ou seja, o bit de</p><p>endereço A8 seleciona qual memória estará ativa.</p><p>Além disso, as linhas de dados das duas memórias são conectadas entre si, mas não se corre</p><p>o risco de haver curtos, pois as lógicas utilizadas para acionar o chip select de cada memória</p><p>garante que apenas uma delas possa estar ativa por vez.</p><p>EXEMPLO 3</p><p>Quantas memórias 256x4 são necessárias para montar uma memória com 1024 localidades e</p><p>palavra de 1 byte?</p><p>SOLUÇÃO</p><p>Para expandir a quantidade de localidades, precisamos associar 4 memórias de maneira</p><p>similar ao que vimos no exemplo anterior. Assim teremos uma memória 1024x4.</p><p>¯̄¯̄¯CS  =  0</p><p>¯̄¯̄¯CS  =  0</p><p>Agora, para expandir o tamanho da palavra de 4 bits para 8 bits (1 byte), precisaremos de duas</p><p>memórias 1024x4, utilizando conexão semelhante à vista em um exemplo anterior.</p><p>Então precisamos de 2 memórias 1024x4, e cada uma dessas memórias é constituída por 4</p><p>memórias 256x4. Logo, para construir uma memória 1024x8 são necessárias 8 memórias</p><p>256x4.</p><p>VERIFICANDO O APRENDIZADO</p><p>1. QUAL A CAPACIDADE DE UMA MEMÓRIA QUE POSSUI 10 LINHAS DE</p><p>ENDEREÇO E 4 LINHAS DE DADOS?</p><p>A) 4 kilobits</p><p>B) 1024 bits</p><p>C) 1024 bytes</p><p>D) 2048 nibbles</p><p>E) 1 kilobyte</p><p>2. A MEMÓRIA QUE NÃO PERDE SUA INFORMAÇÃO MESMO QUANDO</p><p>DESCONECTADA DA ALIMENTAÇÃO, SENDO IDEAL PARA GUARDAR</p><p>INFORMAÇÕES DE CONFIGURAÇÃO E EVITAR QUE O USUÁRIO TENHA</p><p>DE REINSERIR ESSAS INFORMAÇÕES TODA VEZ QUE LIGAR O</p><p>DISPOSITIVO É CHAMADA DE:</p><p>A) Estática</p><p>B) Dinâmica</p><p>C) Não volátil</p><p>D) Registrável</p><p>E) Volátil</p><p>GABARITO</p><p>1. Qual a capacidade de uma memória que possui 10 linhas de endereço e 4 linhas de</p><p>dados?</p><p>A alternativa "A " está correta.</p><p>Com 10 bits de endereço temos 210 = 1024 localidades e com 4 bits por localidade temos um</p><p>total de 4096 bits de capacidade, o que equivale a 4 x 210 = 4 kilobits.</p><p>2. A memória que não perde sua informação mesmo quando desconectada da</p><p>alimentação, sendo ideal para guardar informações de configuração e evitar que o</p><p>usuário tenha de reinserir essas informações toda vez que ligar o dispositivo é chamada</p><p>de:</p><p>A alternativa "C " está correta.</p><p>Memórias não voláteis são as capazes de manter as informações gravadas mesmo na</p><p>ausência de energia. Já as memórias voláteis perdem suas informações quando são</p><p>desconectadas da alimentação.</p><p>MÓDULO 2</p><p> Listar os principais tipos de memória e suas características</p><p>MEMÓRIA ROM</p><p>O termo ROM é originado do inglês read-only memory, e significa memória somente de leitura.</p><p>A informação que será gravada na ROM é determinada no momento da fabricação, os dados</p><p>fazem parte da arquitetura do circuito integrado da memória. Dessa forma, a ROM é uma</p><p>memória não volátil, retendo sua informação</p><p>mesmo quando a alimentação é desligada.</p><p>APESAR DE CHAMADAS DE MEMÓRIA, AS MEMÓRIAS ROM</p><p>SÃO UM CIRCUITO COMBINACIONAL, POIS, DADO UMA</p><p>ENTRADA (ENDEREÇO), A SAÍDA (DADO) ESTÁ DEFINIDA</p><p>Por ser um circuito muito simples, a memória ROM não possui muitos sinais de controle, em</p><p>geral ela possui apenas uma entrada habilitadora (OE, output enable) que, se ativada, habilita a</p><p>saída e, caso contrário, deixa a saída em alta impedância.</p><p>A representação genérica de uma ROM é mostrada na figura abaixo:</p><p>Fonte: EnsineMe</p><p> Figura 5 - Representação da Memória ROM</p><p>Para explicar a arquitetura interna de uma ROM, usaremos como exemplo uma ROM com 2</p><p>linhas de endereço e 2 bits por localidade. Ela implementará a seguinte tabela:</p><p>Endereço Dados</p><p>A1 A0 D1 D0</p><p>0 0 0 1</p><p>0 1 1 1</p><p>1 0 0 0</p><p>1 1 1 1</p><p> Atenção! Para visualizaçãocompleta da tabela utilize a rolagem horizontal</p><p> Tabela 3 - Exemplo da tabela de uma ROM 4x2</p><p>A implementação desta ROM pode ser feita da seguinte forma:</p><p>Fonte: EnsineMe</p><p> Figura 6 - Implementação da ROM descrita na Tabela 3</p><p>O decodificador, nesta arquitetura, também chamado de decodificador de endereços, faz com</p><p>que uma linha fique em nível lógico alto (1), de acordo com o endereço selecionado.</p><p>A linha ativa faz com que as portas OU a ela conectadas tenham saída 1, se a porta OU não</p><p>estiver conectada a essa linha então ela apresentará saída 0</p><p>Por último, os buffers de três estados são responsáveis por habilitar ou não a saída.</p><p>Como essa memória requer um projeto de circuito integrado de acordo com os dados a serem</p><p>gravados, seu uso é restrito a aplicações específicas, no qual a memória deverá ser produzida</p><p>em larga escala (grande quantidade) para justificar os custos do projeto e setup da linha de</p><p>produção.</p><p>A seguir, estudaremos algumas variações da ROM que tornam essa tecnologia acessível ao</p><p>usuário comum, são elas a PROM, EPROM, EEPROM, SPROM.</p><p>javascript:void(0)</p><p>javascript:void(0)</p><p>javascript:void(0)</p><p>javascript:void(0)</p><p>PROM</p><p>PROM é uma memória programável somente leitura.</p><p>EPROM</p><p>EPROM é uma memória programável apagável somente de leitura.</p><p>EEPROM</p><p>EEPROM é uma memória não volátil utilizada para armazenar pequenas quantidades de</p><p>dados que necessitam ser salvos quando a energia é removida.</p><p>SPROM</p><p>SPROM é uma memória em série programável somente de leitura.</p><p>MEMÓRIA PROM</p><p>A PROM é, resumidamente, uma ROM que pode ser programada, uma única vez, pelo usuário.</p><p>Note que isso não torna a PROM uma memória com suporte à escrita e à leitura, dado que a</p><p>gravação dela faz parte do setup e não do funcionamento normal da memória.</p><p> SAIBA MAIS</p><p>A PROM, bem como as demais variações da ROM, são memórias sem suporte à escrita, ou</p><p>seja, apenas de leitura.</p><p>A programação da PROM é realizada em alta tensão, geralmente em torno de 20 Volts, na</p><p>entrada de dados de acordo com o endereço em que se quer gravar. A sobretensão queima</p><p>pequenos fusíveis semicondutores, fazendo com que aquele bit seja zero no endereço</p><p>determinado. Ou seja, queimamos os fusíveis onde queremos que a memória armazene o valor</p><p>0.</p><p>Note que a lógica para gravar, em que se aplica a alta tensão, é a inversa da leitura: se</p><p>quisermos 1 não aplicamos nenhum sinal de gravação, se quisermos 1 aplicamos a</p><p>sobretensão. E que, antes da gravação, todos os dados guardados na memória PROM são 1.</p><p>O procedimento exato para gravação (nível de tensão, tempo em que a sobretensão deve ser</p><p>mantida etc.) é fornecido pelo fabricante da memória.</p><p> DICA</p><p>São vendidos kits dedicados para realizar a gravação de memórias PROM e demais variações</p><p>de ROM, facilitando o procedimento para o usuário. Atualmente, há fornecedores que oferecem</p><p>o serviço de pré-gravação: o comprador envia o arquivo de dados que deseja registrado junto</p><p>ao pedido de compra e já recebe o circuito integrado da memória gravado.</p><p>A seguir, vemos a arquitetura de uma PROM “virgem” — que ainda não foi gravada — e de</p><p>uma após o procedimento de gravação:</p><p>Fonte: EnsineMe</p><p> Figura 7- Memória PROM 4X3 virgem</p><p>Fonte: EnsineMe</p><p> Figura 8 - Memória PROM 4X3 após a gravação</p><p>Nessa arquitetura, os diodos garantem que as diferentes linhas do decodificador (Y3, Y2, Y1,</p><p>Y0) não entrarão em curto, uma vez que apenas 1 diodo pode conduzir por vez em cada linha</p><p>de dados (D2, D1, D0).</p><p>javascript:void(0)</p><p>Os resistores conectados ao aterramento garantem que se não houver diodos conduzindo a</p><p>linha de dados ficará em nível lógico baixo (0).</p><p>DIODO</p><p>Componente eletrônico semicondutor composto de um cristal de Silício ou Germânio,</p><p>cujas faces são dopadas por materiais distintos durante sua fabricação.</p><p> SAIBA MAIS</p><p>Tal configuração de resistores é conhecida como pull-down.</p><p>EXEMPLO</p><p>Qual é a tabela-verdade da memória PROM representada na Figura 8:</p><p>SOLUÇÃO</p><p>Na resolução consideraremos OE=1, caso contrário todos os bits de saída estão em alta</p><p>impedância.</p><p>Se A1 A0=00, então a linha Y0 está ativa, e nesse caso D2=1 (fusível intacto), D1 e D0 estarão</p><p>em nível baixo, dado que os seus fusíveis estão rompidos.</p><p>Repetindo esse raciocínio para cada combinação possível de A1 A0 podemos montar a tabela:</p><p>Endereço Dados</p><p>A1 A0 D2 D1 D0</p><p>0 0 1 0 0</p><p>0 1 1 0 1</p><p>1 0 0 0 1</p><p>1 1 0 1 0</p><p> Atenção! Para visualizaçãocompleta da tabela utilize a rolagem horizontal</p><p> Tabela-verdade da memória PROM</p><p>O FUNCIONAMENTO DA MEMÓRIA PROM</p><p>Entenda mais sobre memória PROM no vídeo a seguir:</p><p>MEMÓRIA EPROM</p><p>A memória EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) surgiu como uma evolução</p><p>tecnológica da PROM.</p><p>A EPROM, ALÉM DE PERMITIR A GRAVAÇÃO, PERMITE</p><p>TAMBÉM QUE OS DADOS SEJAM APAGADOS, RETORNANDO</p><p>A MEMÓRIA AO ESTADO INICIAL</p><p>A exposição a raios ultravioleta faz com que os fusíveis semicondutores da memória voltem a</p><p>conduzir. Para permitir a incidência dos raios ultravioleta no circuito, o encapsulamento da</p><p>EPROM possui uma janela transparente a essa radiação.</p><p>Fonte: Shutterstock.com</p><p>Há três detalhes importantes sobre o processo de apagamento da memória EPROM:</p><p>Ao ser exposta aos raios ultravioleta, a memória é apagada como um todo, não é possível</p><p>realizar o apagamento seletivo de endereços de memória.</p><p>Devido a luz solar conter radiação ultravioleta, a janela da EPROM deve ser tampada,</p><p>geralmente com um adesivo, para evitar o apagamento acidental dos dados.</p><p>O processo de apagar os dados não é rápido, levando tipicamente de 15 a 50 minutos.</p><p>As EPROMs eram bastante utilizadas em circuitos digitais que precisavam de um setup inicial e</p><p>na memória de microcontroladores.</p><p> EXEMPLO</p><p>Armazenar a BIOS (Basic Input Output Interface) do computador e a programação das antigas</p><p>TVs de tubo de raios catódicos.</p><p>Com os avanços tecnológicos no campo das memórias, as EPROMs foram substituídas na</p><p>maioria das aplicações pelas memórias EEPROM e FLASH, que veremos adiante. A EEPROM</p><p>ainda é utilizada quando é necessária uma pequena quantidade de memória. Como exemplo</p><p>de dispositivos que ainda possuem EEPROM, podemos citar microcontroladores utilizados</p><p>pelos sistemas Arduino.</p><p>ARDUINO</p><p>Arduino são plataformas de hardware livre baseadas em microcontroladores, com uma</p><p>linguagem de programação padrão C/C++, projetada para ser acessível mesmo para</p><p>pessoas sem conhecimento de eletrônica.</p><p>MEMÓRIA EEPROM</p><p>EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory), é uma memória também</p><p>chamada E2PROM. Ela é uma evolução tecnológica da EPROM e as principais características</p><p>que a diferenciam são:</p><p>A memória é apagada através de um sinal elétrico.</p><p>Pode-se escolher qual endereço deve ser apagado, não sendo necessário resetar a</p><p>memória para seu estado inicial.</p><p>TAIS CARACTERÍSTICAS PERMITEM O PROJETO DE</p><p>SISTEMAS CAPAZES DE REPROGRAMAR TRECHOS DA</p><p>MEMÓRIA EEPROM DURANTE SEU FUNCIONAMENTO.</p><p>Na figura, abaixo, vemos a representação de uma memória EEPROM, com os sinais de</p><p>controle usuais:</p><p>javascript:void(0)</p><p>Fonte: EnsineMe</p><p> Figura 10 - Representação da memória EEPROM</p><p>As funções dos sinais de controle são:</p><p>OE (OUTPUT ENABLE)</p><p>Se desativado, desabilita as saídas e as deixa em alta impedância.</p><p>CE (CHIP</p><p>ENABLE)</p><p>Se desativado, além de deixar a saída em alta impedância, coloca a memória em modo de</p><p>espera (stand-by), reduzindo o seu consumo de energia. Porém, ao se ativar o chip enable</p><p>para usar a memória, é necessário esperar o tempo de inicialização do circuito.</p><p>(WRITE ENABLE)</p><p>Utilizado para realizar a escrita de uma nova informação em determinado endereço de</p><p>memória. Para realizar essa operação, o endereço desejado e a palavra que se deseja gravar</p><p>devem ser inseridos em seus respectivos barramentos, enquanto os sinais de controle CE e (</p><p>) devem estar ativados e o OE desativado. Esses sinais devem ser mantidos estáveis por</p><p>determinado tempo mínimo, especificado pelo fabricante na folha de dados do dispositivo.</p><p>Assim como a ROM, a PROM e a EPROM, a EEPROM também possui acesso aleatório, sendo</p><p>não volátil.</p><p> ATENÇÃO</p><p>Apesar de suportar a leitura e a escrita, ela é classificada como de apenas leitura.</p><p>¯̄¯̄¯̄¯WE</p><p>¯̄¯̄¯̄¯WE</p><p>“EM NÍVEL DE CLASSIFICAÇÃO, A MEMÓRIA E2PROM</p><p>PODE CAUSAR POLÊMICA EM UM ITEM, POIS APESAR</p><p>DE PERMITIR A ESCRITA E A LEITURA DE DADOS, FAZ</p><p>PARTE DA FAMÍLIA DAS MEMÓRIAS APENAS DE</p><p>LEITURA (ROM). O NOME EEPROM, NO ENTANTO,</p><p>DEVE TER SIDO ATRIBUÍDO POR QUESTÕES</p><p>HISTÓRICAS DO DESENVOLVIMENTO TECNOLÓGICO</p><p>NA ÁREA, O MESMO OCORRENDO COM OUTRAS</p><p>MEMÓRIAS.”</p><p>(CAPUANO, 2014)</p><p>MEMÓRIA SPROM</p><p>A SPROM (Serial Programmable Read Only Memory) é uma memória PROM associada a um</p><p>contador, de forma que não há barramento de endereços, sendo o endereçamento realizado</p><p>pelo contador. A figura a seguir apresenta o diagrama de uma SPROM.</p><p>Fonte: EnsineMe</p><p> Figura 11 - Diagrama de uma SPROM 256X1 virgem</p><p>O sinal de saída CEO é ativado quando o contador atingir o seu valor máximo de contagem e o</p><p>sinal CE está ativado. Nessa situação, a saída e a contagem são automaticamente</p><p>desabilitadas (a saída é colocada em alta impedância). Esse sinal é utilizado no cascateamento</p><p>de memórias SPROM, visando aumentar a quantidade de localidades disponíveis.</p><p> ATENÇÃO</p><p>Nesse tipo de conexão, os sinais de CLK, CLR, OE e as saídas de dados das memórias são</p><p>conectados entre si, e a saída CEO da primeira memória é conectada à entrada CE da</p><p>segunda.</p><p>Dessa forma, quando a primeira memória atinge o valor máximo da contagem,</p><p>automaticamente a sua saída e contagem são desabilitadas, e a segunda memória é habilitada</p><p>(saída e contagem).</p><p>A SPROM é utilizada em sistemas que utilizarão todos os dados armazenados de uma vez,</p><p>sequencialmente, como na configuração de FPGAs.</p><p>MEMÓRIA FLASH</p><p>As memórias FLASH utilizam estrutura interna diferente das memórias da família ROM, sendo</p><p>outro tipo de tecnologia. Porém, em funcionalidade, elas se assemelham à EEPROM,</p><p>permitindo a operação de apagamento eletricamente.</p><p>Entretanto, diferentemente da EEPROM, em que cada palavra deve ser apagada por vez, a</p><p>memória FLASH permite que blocos de dados (também chamados de páginas) sejam</p><p>apagados por vez. Como a operação de apagar uma informação é demorada, a memória</p><p>FLASH consegue obter maiores velocidades de operação, ao mesmo tempo que não exige</p><p>uma reprogramação completa após o apagamento, como a EPROM.</p><p> ATENÇÃO</p><p>Em termos de classificação, a memória FLASH é não volátil, apresenta suporte à leitura e à</p><p>escrita, além de acesso aleatório.</p><p>Além de mais rápida, o custo por bit da memória FLASH é muito menor do que a memória</p><p>EEPROM, permitindo que a FLASH a substituísse na maioria das aplicações e viabilizando</p><p>uma série de outras, como o HD em estado sólido (SSD) e o pen-drive.</p><p>A principal desvantagem das memórias FLASH é que elas permitem uma quantidade limitada</p><p>de ciclos de escrita, fazendo com que as células de memória fiquem inutilizadas depois de</p><p>certo tempo.</p><p> COMENTÁRIO</p><p>Com o avanço da tecnologia, a quantidade de ciclos permitida está cada vez maior,</p><p>minimizando esse problema.</p><p>Atualmente, memória FLASH é amplamente utilizada, sendo a memória em estado-sólido não</p><p>volátil dominante no mercado.</p><p> EXEMPLO</p><p>Pen-drives, BIOS do computador, memória de programa de microcontroladores, cartões de</p><p>memória de celulares e câmeras, HDs de estado sólido, são apenas algumas de suas muitas</p><p>aplicações.</p><p>MEMÓRIA RAM</p><p>Até o momento vimos memórias não voláteis, e como essas memórias guardam a informação</p><p>mesmo na ausência de energia elétrica, não faz sentido as classificarmos como estáticas ou</p><p>dinâmicas, haja vista que obviamente seriam estáticas. Agora discutiremos memórias voláteis,</p><p>que perdem todas as informações ao serem desconectadas da alimentação.</p><p>Ainda em relação as memórias não voláteis, as memórias RAM apresentam velocidades de</p><p>acesso muito maiores, sendo geralmente utilizadas para armazenar os dados temporários</p><p>durante a execução de programas e como memória intermediária entre as unidades de</p><p>armazenamento secundário (não voláteis) e o processador.</p><p> ATENÇÃO</p><p>Apesar da sigla RAM indicar apenas que são memórias de acesso aleatório (também chamado</p><p>de randômico), essas memórias também possuem suporte à escrita e à leitura, além de serem</p><p>voláteis.</p><p>Estudaremos os dois principais tipos de memória RAM: as Dinâmicas (DRAM) e as estáticas</p><p>(SRAM), sem entrar em detalhes dos diversos subtipos existentes em cada uma dessas</p><p>classificações.</p><p>SRAM</p><p>As SRAM (Static RAM) ou RAM Estática, são memórias de altíssima velocidade, cujo elemento</p><p>básico são circuitos biestáveis (latches ou flip-flops).</p><p>Na figura abaixo vemos a representação genérica de uma SRAM:</p><p>Fonte: EnsineMe</p><p> Figura 12 - Representação da memória SRAM</p><p>Os sinais de controle utilizados na SRAM são similares aos utilizados nas memórias já</p><p>estudadas neste tema:</p><p>CS (CHIP SELECT)</p><p>Se estiver desabilitado coloca as saídas em alta impedância e impede que sejam realizadas</p><p>escritas.</p><p>OE (OUTPUT ENABLE)</p><p>Quando desabilitada, coloca as linhas de dados em alta impedância.</p><p>R/ (READ/WRITE)</p><p>Essa entrada controla se a memória deve realizar uma operação de escrita ou leitura. Para</p><p>realizar escritas fazemos , e para fazer leituras utilizamos .</p><p>Utilizando esses sinais, podemos montar a tabela de operação básica de uma SRAM:</p><p>Sinal de controle</p><p>Operação</p><p>CS OE</p><p>¯̄¯̄W</p><p>R/¯̄¯̄W = 0 R/¯̄¯̄W = 1</p><p>R/¯̄¯̄W</p><p>0 X X</p><p>Hold, saídas em alta impedância e não é realizado</p><p>apagamento ou escrita</p><p>1 0 1</p><p>Hold, saídas em alta impedância e não é realizado</p><p>apagamento ou escrita</p><p>1 0 0</p><p>Escrita (Write), os dados inseridos no barramento de</p><p>dados são escritos na localidade apontada pelo</p><p>barramento de endereços</p><p>1 1 1</p><p>Leitura (Read), os dados armazenados na localidade</p><p>apontados pelo barramento de endereços são</p><p>disponibilizados no barramento de dados</p><p>1 1 0 Proibido</p><p> Atenção! Para visualizaçãocompleta da tabela utilize a rolagem horizontal</p><p> Tabela 4 - Tabela de operação genérica de uma SRAM</p><p> ATENÇÃO</p><p>Note que a Tabela 4, é um guia genérico. Ao utilizar uma memória SRAM no seu projeto, você</p><p>deve ler e seguir as informações fornecidas pelo fabricante. Diferentes circuitos integrados de</p><p>SRAM podem apresentar sinais de controle diversos ou serem ativados em diferentes níveis</p><p>lógicos.</p><p>A arquitetura interna de uma SRAM é dada por:</p><p>Fonte: EnsineMe</p><p> Figura 13 - Diagrama de uma SRAM 4x2</p><p> COMENTÁRIO</p><p>O circuito acima pode parecer complicado à primeira vista, mas você verá que seu</p><p>funcionamento é relativamente simples.</p><p>Primeiro temos o decodificador de endereços que exerce função idêntica à observada nos</p><p>circuitos das memórias ROM. Ele garante que apenas uma linha de endereço (Y3, Y2, Y1, Y0)</p><p>esteja ativa por vez.</p><p>Um par de buffers de três estados conectados na saída dos latches D são ativados de acordo</p><p>com a linha de endereço ativa. Eles garantem que a saída de latches de diferentes endereços</p><p>não entrem em curto.</p><p>A seguir, observamos os buffers próximos às saídas da memória. O sinal de habilitação neles é</p><p>CS . OE, ou seja, para a saída estar ativada é necessário que CS e OE estejam ativados.</p><p>Por último, olhamos a entrada de habilitação dos latches. Relembrando a tabela de operação</p><p>do latch D:</p><p>En Qn+1 Ação</p><p>0 Qn hold</p><p>1 D load</p><p> Atenção! Para visualizaçãocompleta</p><p>da tabela utilize a rolagem horizontal</p><p> Tabela 5 - Tabela característica latch D</p><p>Pela tabela característica do latch D, fica claro que para uma escrita ser realizada a entrada de</p><p>enable do latch deve estar ativada.</p><p>A entrada de Enable dos latches é um AND dos sinais e a linha de endereço</p><p>relativa à localidade de memória do latch.</p><p> RESUMINDO</p><p>Para que uma escrita seja realizada (em = 1), é necessário que, simultaneamente, o sinal de</p><p>CS e a linha estejam ativos e esteja em nível baixo.</p><p>DRAM</p><p>As DRAM (Dynamic RAM) ou RAM Dinâmica, armazenam os bits como carga em minúsculos</p><p>capacitores construídos na pastilha do circuito impresso com materiais semicondutores. Assim,</p><p>a célula básica de memória de uma DRAM é composta por um capacitor e um transistor, que</p><p>controla a carga e descarga do capacitor. Essa forma de armazenar informação torna possível</p><p>construir memórias com maior capacidade, utilizando a mesma área de chip.</p><p> RESUMINDO</p><p>CS,  ̄ ¯̄¯̄¯̄¯̄R/¯̄¯̄W</p><p>R/¯̄¯̄W</p><p>Utilizando a tecnologia das DRAM conseguimos fazer memórias com maior capacidade e</p><p>menor custo por byte em relação as RAM estática.</p><p>Por outro lado, esses pequenos capacitores, devido a correntes de fuga, perdem carga</p><p>espontaneamente com o tempo, sendo necessário realizar periodicamente operações de</p><p>repotencialização (mais comumente referidas pelo termo em inglês, refresh), que consiste em</p><p>reescrever os dados nas mesmas posições, visando reestabelecer a carga dos capacitores que</p><p>armazenam a informação.</p><p>DURANTE O INTERVALO DE TEMPO EM QUE A DRAM ESTÁ</p><p>REALIZANDO O REFRESH, ELA FICA INDISPONÍVEL PARA</p><p>REALIZAR LEITURAS E ESCRITAS, O QUE LIMITA SUAS</p><p>TAXAS DE TRANSFERÊNCIA.</p><p>Adicionalmente, o ciclo de leitura do dado também acaba por afetar a carga dos capacitores</p><p>contendo a informação. Assim, após a realização de uma leitura, o dado deve ser reinserido.</p><p>Essa operação é conhecida como pré-carga (precharge) e é feita automaticamente pela</p><p>memória, porém consome tempo. Tais fatores fazem com que as DRAM sejam mais lentas do</p><p>que as SRAM.</p><p> ATENÇÃO</p><p>O controle e a arquitetura das DRAM são significativamente mais complexos do que os da</p><p>SRAM, fugindo ao escopo deste tema.</p><p>A seguir, uma tabela comparando a DRAM e a SRAM:</p><p>DRAM (dinâmica) SRAM (estática)</p><p>Vantagens</p><p>alta densidade de</p><p>integração</p><p>baixo consumo de</p><p>potência</p><p>alta velocidade</p><p>não precisam de refresh</p><p>baixa geração de calor</p><p>baixo custo por byte</p><p>Desvantagens</p><p>baixa velocidade</p><p>necessidade de refresh</p><p>baixa densidade de</p><p>integração</p><p>alto consumo de energia</p><p>alta geração de calor</p><p>alto custo</p><p>Tempo de</p><p>acesso</p><p>7,5 a 70 nanosegundos</p><p>No máximo 10</p><p>nanosegundos</p><p> Atenção! Para visualização completa da tabela utilize a rolagem horizontal</p><p> Tabela 6 – Quadro comparativo entre as memórias DRAM e SRAM</p><p>VERIFICANDO O APRENDIZADO</p><p>1. COMO UM PEN-DRIVE É UTILIZADO PARA TRANSFERIR</p><p>INFORMAÇÕES ENTRE COMPUTADORES OU GUARDAR DADOS, ELE</p><p>PODERIA SER CONSTRUÍDO COM DOIS TIPOS DE MEMÓRIA. ASSINALE</p><p>A ALTERNATIVA QUE APRESENTA TAIS MEMÓRIAS, CONSIDERANDO</p><p>QUE A SEGUNDA APRESENTA UM CUSTO POR BYTE INFERIOR, SENDO</p><p>MAIS RÁPIDA, E, POR ISSO, É A OPÇÃO ESCOLHIDA:</p><p>A) SPROM e EEPROM</p><p>B) SRAM e DRAM</p><p>C) EEPROM e FLASH</p><p>D) DRAM e SRAM</p><p>E) FLASH E ROM</p><p>2. RELACIONE AS COLUNAS E ASSINALE A ALTERNATIVA CORRETA</p><p>SOBRE OS TIPOS DE MEMÓRIA:</p><p>A -</p><p>PROM</p><p>I - É, NA VERDADE, UM CIRCUITO COMBINACIONAL</p><p>B - RAM II - É VOLÁTIL</p><p>C -</p><p>ROM</p><p>III - SE FOR PROGRAMADA INCORRETAMENTE,</p><p>PERDE-SE O CHIP DE MEMÓRIA</p><p> ATENÇÃO! PARA VISUALIZAÇÃOCOMPLETA DA TABELA UTILIZE A</p><p>ROLAGEM HORIZONTAL</p><p>A) A-II; B-I; C-III</p><p>B) A-I; B-II; C-III</p><p>C) A-III; B-I; C-II</p><p>D) A-III; B-II; C-I</p><p>E) A-II; B-III; C-I</p><p>GABARITO</p><p>1. Como um pen-drive é utilizado para transferir informações entre computadores ou</p><p>guardar dados, ele poderia ser construído com dois tipos de memória. Assinale a</p><p>alternativa que apresenta tais memórias, considerando que a segunda apresenta um</p><p>custo por byte inferior, sendo mais rápida, e, por isso, é a opção escolhida:</p><p>A alternativa "C " está correta.</p><p>Para aplicações como a do pen-drive, precisamos de uma memória não volátil, que possa reter</p><p>as informações ao ser desconectada da energia e que suporte a escrita. As memórias</p><p>estudadas que possuem essas características são a EEPROM e a FLASH, com a FLASH</p><p>apresentando um custo por byte menor e maiores velocidades.</p><p>2. Relacione as colunas e assinale a alternativa correta sobre os tipos de memória:</p><p>A - PROM I - É, na verdade, um circuito combinacional</p><p>B - RAM II - É volátil</p><p>C - ROM III - Se for programada incorretamente, perde-se o chip de memória</p><p> Atenção! Para visualizaçãocompleta da tabela utilize a rolagem horizontal</p><p>A alternativa "D " está correta.</p><p>As memórias PROM são memórias que podem ser programadas uma única vez, assim, se o</p><p>usuário errar na hora da programação, ele precisará descartar o chip e programar um novo.</p><p>Logo, o item A se relaciona com a afirmativa III.</p><p>As memórias de acesso aleatório (RAM), armazenam a informação em dispositivos biestáveis</p><p>(SRAM) ou em pequenos capacitores feitos de material semicondutor (DRAM). Em ambos os</p><p>casos, a informação é perdida se o circuito for desconectado da alimentação, sendo, portanto,</p><p>memórias voláteis. Logo, o item B se relaciona com a afirmativa II.</p><p>Nas memórias ROM, a programação já faz parte do projeto do circuito e não pode ser</p><p>modificada. Sempre que essa memória receber um sinal de entrada, ele apresentará a mesma</p><p>saída, sendo um circuito combinacional. Logo, o item C se relaciona com a afirmativa I.</p><p>CONCLUSÃO</p><p>CONSIDERAÇÕES FINAIS</p><p>Neste tema, estudamos as memórias digitais, esse importante componente da eletrônica digital</p><p>que utilizamos diariamente em diversos dispositivos.</p><p>No primeiro módulo, aprendemos conceitos fundamentais relacionados às memórias,</p><p>características, classificação e interface básica. Em seguida, estudamos as principais</p><p>memórias semicondutoras, vimos as memórias ROM, PROM, EPROM, EEPROM, FLASH,</p><p>SRAM e DRAM.</p><p>Conhecer as memórias mais comuns e suas características é muito importante para</p><p>compreender a estrutura de sistemas microprocessados, pois eles utilizam diversos tipos de</p><p>memória de acordo com a finalidade.</p><p>AVALIAÇÃO DO TEMA:</p><p>REFERÊNCIAS</p><p>CAPUANO, F. G. Sistemas digitais, circuitos combinacionais e sequenciais. 1 ed. Érica,</p><p>2014.</p><p>IDOETA, I.V.; CAPUANO, F. G. Elementos de Eletrônica Digital. 41.ed. Érica, 2012.</p><p>MENDONÇA, A.; ZELENOVSKY, R. Eletrônica Digital: Curso Prático e Exercícios. 2 ed. MZ</p><p>Editora, 2007.</p><p>EXPLORE+</p><p>Para saber mais sobre os assuntos tratados neste tema, leia:</p><p>Sobre os sinais de controle e a arquitetura interna das memórias DRAM na seção 9.4 do livro</p><p>Eletrônica Digital – 2° edição, de Alexandre Mendonça e Ricardo Zelenovsky.</p><p>CONTEUDISTA</p><p>Felipe Gonçalves Serrenho</p><p> CURRÍCULO LATTES</p><p>javascript:void(0);</p><p>javascript:void(0);</p>