Eletrônica analógica

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12/06/2023, 09:09 EPS
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Disciplina: ELETRÔNICA ANALÓGICA  AV
Aluno: MARCIO RIBEIRO DE RESENDE 202209114001
Professor: ROBSON LOURENCO CAVALCANTE
 
Turma: 9001
DGT0126_AV_202209114001 (AG)   07/06/2023 13:27:35 (F) 
Avaliação: 8,00 pts Nota SIA: 10,00 pts
 
EM2120654 - O DIODO  
 
 1. Ref.: 5498403 Pontos: 1,00  / 1,00
Os diodos zener são produzidos para operar de uma maneira diferente dos diodos semicondutores. Quando polarizados
reversamente, com uma potência de 20 mW e uma corrente de 10 mA, um modelo ideal dos diodos zener apresenta
qual tensão?
0,3 V
 Tensão de ruptura
0,7 V
0 V
Tensão da fonte de alimentação utilizada
 2. Ref.: 5453398 Pontos: 1,00  / 1,00
Analisando o circuito a seguir, a corrente no diodo limitador de corrente é:
0,7 mA
10,7 mA
 0 A
10 mA
9,3 mA
 
EM2120655 - O TRANSISTOR  
 
 3. Ref.: 5453402 Pontos: 1,00  / 1,00
Determine Rb para o transistor inversor da �gura a seguir. Considere ICsaturação = 10mA.
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javascript:alert('C%C3%B3digo da quest%C3%A3o: 5453398.');
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Fonte: EnsineMe.
1kΩ
1,5Ω
100kΩ
 155kΩ
15kΩ
 4. Ref.: 5513230 Pontos: 0,00  / 1,00
Determine RC para o transistor inversor da �gura a seguir. Considere ICsaturação = 10mA.
Fonte: EnsineMe.
0Ω
100kΩ
10kΩ
 1kΩ
 155kΩ
 
EM2120656 - AMPLIFICADORES OPERACIONAIS  
 
 5. Ref.: 5692948 Pontos: 1,00  / 1,00
Calcule a tensão de saída para o circuito da �gura a seguir, considerando: V1 = 4mV e V2 = 2mV.
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javascript:alert('C%C3%B3digo da quest%C3%A3o: 5692948.');
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Fonte: Raphael de Souza dos Santos.
66mV
-66mV
106mV
 -106mV
0V
 6. Ref.: 5737951 Pontos: 1,00  / 1,00
Determine a tensão de saída para o circuito da �gura a seguir, considerando: Rf = 1MΩ; R1 = 100kΩ; R2 = 50kΩ e R3 =
500kΩ; V1 = 1V e V2 = 2V.
Fonte: Raphael de Souza dos Santos.
0V
 -20V
-10V
20V
10V
 7. Ref.: 5737953 Pontos: 1,00  / 1,00
Calcule o ganho do circuito ampli�cador da �gura a seguir:
javascript:alert('C%C3%B3digo da quest%C3%A3o: 5737951.');
javascript:alert('C%C3%B3digo da quest%C3%A3o: 5737953.');
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Fonte: Raphael de Souza dos Santos.
10
 1
-1
0
-10
 
ENSINEME: TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ)  
 
 8. Ref.: 4077454 Pontos: 1,00  / 1,00
O transistor da �gura a seguir é de silício, possui um ganho β = 100 e está polarizado na região ativa. Determine RE, RB,
e RC sabendo que VCC = 20V, VCE = 3V, IB = 40µA e RC = 4RE.
RE = 2kΩ, RB = 397,5kΩ, RC = 8kΩ
RE = 1kΩ, RB = 400kΩ, RC = 4kΩ
 RE = 850Ω, RB = 397,5kΩ, RC = 3,4kΩ
RE = 850Ω, RB = 400kΩ, RC = 3,4kΩ
RE = 1kΩ, RB = 397,5kΩ, RC = 4kΩ
 9. Ref.: 4092353 Pontos: 1,00  / 1,00
Observe a �gura adiante, que representa um circuito em que o transistor bipolar NPN foi especi�cado para ter β (hFE)
na faixa de 15 a 75.
javascript:alert('C%C3%B3digo da quest%C3%A3o: 4077454.');
javascript:alert('C%C3%B3digo da quest%C3%A3o: 4092353.');
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Para que o transistor Q1 opere na saturação (VCE de saturação = 0,2 V e VBE = 0,67V), com β Forçado igual a 0,75 , o
valor da resistência de base (RB) será de:
1,79 kΩ
7,06 kΩ
38,83 Ω
3,53 kΩ
 353,00 Ω
 10. Ref.: 4092381 Pontos: 0,00  / 1,00
O transistor representado na �gura abaixo é polarizado com uma corrente no coletor de 0,5 mA.
javascript:alert('C%C3%B3digo da quest%C3%A3o: 4092381.');
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O ganho de voltagem (v0/vi)  para pequenos sinais é:
 -100 V/V
 +10 V/V
-10 V/V
+100 V/V
-1 V/V