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Ao que representa a simplificação da saída A do sistema, utilizando o Mapa de Karnaugh, assinale a alternativa CORRETA:

A A = s1.s2 + s3.s4 + s2.s4 + s1'.s4' + s2.s3 + s1.s3.

B A = s1.s2' + s3.s4 + s2.s4 + s1.s4 + s2.s3 + s1.s3'.

C A = s1.s2 + s3.s4 + s2.s4 + s1.s4 + s2.s3 + s1.s3.

D A = s1.s2 + s3.s4 + s2'.s4 + s1.s4' + s2.s3 + s1.s3.

E A = s1.s2 + s3'.s4 + s2.s4 + s1'.s4 + s2.s3' + s1.s3.

A A = s1.s2 + s3.s4 + s2.s4 + s1'.s4' + s2.s3 + s1.s3.
B A = s1.s2' + s3.s4 + s2.s4 + s1.s4 + s2.s3 + s1.s3'.
C A = s1.s2 + s3.s4 + s2.s4 + s1.s4 + s2.s3 + s1.s3.
D A = s1.s2 + s3.s4 + s2'.s4 + s1.s4' + s2.s3 + s1.s3.
E A = s1.s2 + s3'.s4 + s2.s4 + s1'.s4 + s2.s3' + s1.s3.

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Avaliação Final El Analogica(Objetiva) - Individual_061417

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Conforme o breve trecho anterior, julgue a coerência das afirmativas abaixo:
I. A sua corrente é medida em miliampères e possui uma subida rápida após o seu "joelho".
II. O diodo de silício real em polarização direta possui, no máximo, uma queda de tensão de 1 V.
III. A equação de Chutney pode ser utilizada para definir as características do diodo semicondutor nas regiões de polarização reversa e direta.
IV. O valor da corrente de saturação reversa que aparece na equação de Chutney costuma ser mensuravelmente menor que a real de um diodo comercial devido a diversos fatores dentre os quais é possível destacar a corrente de fuga, a g
I. A sua corrente é medida em miliampères e possui uma subida rápida após o seu "joelho".
II. O diodo de silício real em polarização direta possui, no máximo, uma queda de tensão de 1 V.
III. A equação de Chutney pode ser utilizada para definir as características do diodo semicondutor nas regiões de polarização reversa e direta.
IV. O valor da corrente de saturação reversa que aparece na equação de Chutney costuma ser mensuravelmente menor que a real de um diodo comercial devido a diversos fatores dentre os quais é possível destacar a corrente de fuga, a g

É correto o que se afirma em:

A I e II, apenas.

B I, II e III, apenas.

C II, III e IV, apenas.

D III, apenas.

E II e IV, apenas.

A I e II, apenas.
B I, II e III, apenas.
C II, III e IV, apenas.
D III, apenas.
E II e IV, apenas.

Sobre o exposto, analise as sentenças a seguir:

I. A curva característica é semelhante, porém refletida em relação ao eixo IC.

II. A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do sinal correto de IJ e VD.

III. A mesma situação descrita para o MOSFET tipo depleção, onde todos os materiais, tensão e corrente são invertidos é observada quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p.

IV. A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para de canal n, ou seja, existe um substrato do tipo n e um canal do tipo p, permanecendo com os mesmos terminais, porém as polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos.

É correto o que se afirma em:

A II, III e IV, apenas.

B I, apenas.

C III e IV, apenas.

D I e II, apenas.

E I, II e III, apenas.

A II, III e IV, apenas.
B I, apenas.
C III e IV, apenas.
D I e II, apenas.
E I, II e III, apenas.

Partindo do trecho exposto, analise as sentenças a seguir:

I. O FET tem portadores majoritários mas não tem portadores minoritários.

II. A construção de um MOSFET de canal p é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo pn, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo np.

III. A parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão da porta (G - gate) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos o dreno (D - drain).

IV. A fonte de pressão de água pode ser comparada com à tensão aplicada do dreno para a fonte e estabelecer um fluxo de água (elétrons no JFET) a partir da torneira (fonte no JFET). A "porta" através da aplicação de um sinal (tensão) controla o fluxo de água (carga) para o dreno.

É correto o que se afirma em:

A I e IV, apenas.

B II e III, apenas.

C II, apenas.

D II, III e IV, apenas.

E I, II e III, apenas.

A I e IV, apenas.
B II e III, apenas.
C II, apenas.
D II, III e IV, apenas.
E I, II e III, apenas.

Partindo do trecho anterior, analise as afirmativas a seguir:

I. A tensão elevada aplicada de forma reversa implica, eventualmente, no ponto de avalanche de um diodo.

II. O diodo zener é utilizado na polarização reversa, como filtro de tensão, impedindo a faixa indesejada no circuito.

III. O diodo ao ter o marco da tensão de joelho ultrapassada, na polarização reversa, se torna inoperante eternamente.

IV. A camada de depleção sob efeito de tensão não inversa, está sujeita ao estreitamento até a eventual passagem livre de corrente elétrica pelo diodo.

É correto o que se afirma em:

A I, apenas.

B I e II, apenas.

C III e IV, apenas.

D I, II, III e IV.

E I, II e IV, apenas.

A I, apenas.
B I e II, apenas.
C III e IV, apenas.
D I, II, III e IV.
E I, II e IV, apenas.

O programa realiza as operações com os dados em hexadecimal e octal, analise as afirmativas a seguir que contenham a conversão correta dos dados em decimal para hexadecimal e decimal para octal:
I. Idade 41, 20 última avaliação e 3 anos de validade em Octal.
II. Idade 52, 20 última avaliação e 5 anos de validade em Octal.
III. Idade 2C, 10 última avaliação e 3 anos de validade em Hexadecimal.
IV. Idade 2A, 10 última avaliação e 5 anos de validade em Hexadecimal.
É correto o que se afirma em:
I. Idade 41, 20 última avaliação e 3 anos de validade em Octal.
II. Idade 52, 20 última avaliação e 5 anos de validade em Octal.
III. Idade 2C, 10 última avaliação e 3 anos de validade em Hexadecimal.
IV. Idade 2A, 10 última avaliação e 5 anos de validade em Hexadecimal.
A I, apenas.
B III e IV, apenas.
C I, II, III e IV.
D I, II e III, apenas.
E II e IV, apenas.

A sua corrente é medida em miliampères e possui uma subida rápida após o seu "joelho".
O diodo de silício real em polarização direta possui, no máximo, uma queda de tensão de 1 V.
A equação de Chutney pode ser utilizada para definir as características do diodo semicondutor nas regiões de polarização reversa e direta.
O valor da corrente de saturação reversa que aparece na equação de Chutney costuma ser mensuravelmente menor que a real de um diodo comercial devido a diversos fatores dentre os quais é possível destacar a corrente de fuga, a geração de portadores na região de depleção, sensibilidade à temperatura etc.
É correto o que se afirma em:
I. A sua corrente é medida em miliampères e possui uma subida rápida após o seu "joelho".
II. O diodo de silício real em polarização direta possui, no máximo, uma queda de tensão de 1 V.
III. A equação de Chutney pode ser utilizada para definir as características do diodo semicondutor nas regiões de polarização reversa e direta.
IV. O valor da corrente de saturação reversa que aparece na equação de Chutney costuma ser mensuravelmente menor que a real de um diodo comercial devido a diversos fatores dentre os quais é possível destacar a corrente de fuga, a geração de portadores na região de depleção, sensibilidade à temperatura etc.
A I e II, apenas.
B I, II e III, apenas.
C II, III e IV, apenas.
D III, apenas.
E II e IV, apenas.

O semicondutor mais conhecido e “simples” é o diodo, este componente é capaz de realizar diversas operações em circuitos eletrônicos, como a retificação de um sinal até um filtro de tensão. Contudo, sua polarização diz muito sobre a aplicação desejada, logo, outro diodo toma a cena, o Zener.
Partindo do trecho anterior, analise as afirmativas a seguir:
I. A tensão elevada aplicada de forma reversa implica, eventualmente, no ponto de avalanche de um diodo.
II. O diodo zener é utilizado na polarização reversa, como filtro de tensão, impedindo a faixa indesejada no circuito.
III. O diodo ao ter o marco da tensão de joelho ultrapassada, na polarização reversa, se torna inoperante eternamente.
IV. A camada de depleção sob efeito de tensão não inversa, está sujeita ao estreitamento até a eventual passagem livre de corrente elétrica pelo diodo.
A I, apenas.
B I e II, apenas.
C III e IV, apenas.
D I, II, III e IV.
E I, II e IV, apenas.